Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics (2014)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2014.04.034
- Subjects: TEMPERATURA; MICROELETRÔNICA; SILÍCIO
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Solid-State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 97, p. 14-22, July 2014
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
- Licença: other-oa
-
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics. Solid-State Electronics, v. 97, p. 14-22, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034. Acesso em: 05 jun. 2024. -
APA
Santos, S. D. dos, Martino, J. A., Cretu, B., Strobel, V., Routoure, J. -M., Carin, R., et al. (2014). Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics. Solid-State Electronics, 97, 14-22. doi:10.1016/j.sse.2014.04.034 -
NLM
Santos SD dos, Martino JA, Cretu B, Strobel V, Routoure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Jurczak M, Claeys C. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 97 14-22.[citado 2024 jun. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034 -
Vancouver
Santos SD dos, Martino JA, Cretu B, Strobel V, Routoure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Jurczak M, Claeys C. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 97 14-22.[citado 2024 jun. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2014.04.034 (Fonte: oaDOI API)
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