Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX (2016)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2015.11.021
- Assunto: TRANSISTORES
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Solid-State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 117, p. 123-129, March 2016
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
AOULAICHE, Marc et al. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics, v. 117, p. 123-129, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021. Acesso em: 28 abr. 2024. -
APA
Aoulaiche, M., Bourdelle, K. K., Witters, L. J., Caillat, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2016). Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics, 117, 123-129. doi:10.1016/j.sse.2015.11.021 -
NLM
Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021 -
Vancouver
Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021 - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
- Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C
- Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
- Components of the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high temperatures
- A novel simple method to extract the effective LDD doping concentration on fully depleted SOI NMOSFET
- The graded-channel SOI NMOSFET and its potential to analog applications
- CPU didática. (também em CD-Rom)
- Optimization of the twin gate SOI MOSFET
- Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
- Improved channel lenght and series resistance extraction for short-channel MOSFETs suffering from mobility degradation
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2015.11.021 (Fonte: oaDOI API)
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