Cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores III-V (2019)
- Autor:
- Autor USP: SIQUEIRA, ANDERSON HENRIQUE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES; FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2019
- Source:
- Título do periódico: Book of abstracts
- Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC
-
ABNT
SIQUEIRA, Anderson. Cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores III-V. 2019, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2019. . Acesso em: 21 maio 2024. -
APA
Siqueira, A. (2019). Cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores III-V. In Book of abstracts. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. -
NLM
Siqueira A. Cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores III-V. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 maio 21 ] -
Vancouver
Siqueira A. Cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores III-V. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 maio 21 ] - Efeitos do strain em nanofios politípicos
- Efeitos de strain em semicondutores III-V
- Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos
- Strain em semicondutores III-V politípicos
- Efeitos do strain em nanofios politípicos
- Efeitos de strain em nanofios politípicos
- Strain in polytypic nanowires
- Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides
- Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
