Tuning Vertical Electron Transfer on Graphene Bilayer Electrochemical Devices (2021)
- Authors:
- USP affiliated authors: CRESPILHO, FRANK NELSON - IQSC ; SANCHES, NATALIA MENDES - IQSC ; HASSAN, AYAZ - IQSC ; MATTIOLI, ISABELA ALTEIA - IQSC ; MACÊDO, LUCYANO JEFFERSON ALVES DE - IQSC ; SEDENHO, GRAZIELA CRISTINA - IQSC
- Unidade: IQSC
- DOI: 10.1002/admi.202100550
- Subjects: ELETROQUÍMICA; CARBONO
- Keywords: Graphene
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Advanced Materials Interfaces
- ISSN: 2196-7350
- Volume/Número/Paginação/Ano: p.2100550, 2021
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SANCHES, Natalia M. et al. Tuning Vertical Electron Transfer on Graphene Bilayer Electrochemical Devices. Advanced Materials Interfaces, p. 2100550, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/admi.202100550. Acesso em: 21 maio 2024. -
APA
Sanches, N. M., Hassan, A., Mattioli, I. A., Macedo, L. J. A. de, Sedenho, G. C., & Crespilho, F. N. (2021). Tuning Vertical Electron Transfer on Graphene Bilayer Electrochemical Devices. Advanced Materials Interfaces, 2100550. doi:10.1002/admi.202100550 -
NLM
Sanches NM, Hassan A, Mattioli IA, Macedo LJA de, Sedenho GC, Crespilho FN. Tuning Vertical Electron Transfer on Graphene Bilayer Electrochemical Devices [Internet]. Advanced Materials Interfaces. 2021 ;2100550.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1002/admi.202100550 -
Vancouver
Sanches NM, Hassan A, Mattioli IA, Macedo LJA de, Sedenho GC, Crespilho FN. Tuning Vertical Electron Transfer on Graphene Bilayer Electrochemical Devices [Internet]. Advanced Materials Interfaces. 2021 ;2100550.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1002/admi.202100550 - Influence of structural defects on the electronic and electrochemical properties of on-chip bilayer graphene
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Informações sobre o DOI: 10.1002/admi.202100550 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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