Estudo da Teoria do Funcional da Densidade aplicada aos semicondutores III-V na fase wurtzita (2021)
- Authors:
- Autor USP: BONANI, FABIO DANIELLI - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FCI
- DOI: 10.11606/D.76.2021.tde-28092021-101344
- Subjects: DENSIDADE; SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
- Keywords: Band structures; DFT; Estruturas de bandas; Funcionais; Functionals; HSE06; Semiconductor III-V; Semicondutor III-V
- Language: Português
- Abstract: A descoberta dos semicondutores, uma verdadeira revolução na área eletrônica, propiciou o desenvolvimento de diversos componentes eletrônicos, tais como: transistores; diodos emissores de luz (LEDs) e células solares. Nos últimos anos, esses materiais semicondutores têm sido muito utilizados em novos dispositivos spintrônicos, como por exemplo em spin laser e em investigação de fenômenos físicos como os Férmions de Majorana.1 Houve, também, um grande desenvolvimento de técnicas de síntese experimentais, como por exemplo a Epitaxia por Feixe Molecular (do inglês Molecular Beam Epitaxy).2 Tais técnicas propiciaram a síntese de materiais em fases metaestáveis, viabilizando o estudo de seus parâmetros eletrônicos e estruturais. A possibilidade de sintetizar materiais III-V na fase metaestável wurtzite (traduzido para o português como wurtzita) motivou este projeto. Os semicondutores binários III-V na fase metaestável wurtzita foram estudados a partir da utilização da Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Neste projeto foram realizadas as seguintes etapas: 1a) cálculo dos parâmetros estruturais; 2a) obteção das constantes elásticas; 3a) obtenção e análise das estruturas de bandas a partir dos parâmetros estruturais calculados na primeira etapa e 4a) obtenção dos parâmetros eletrônicos a partir das estruturas de bandas calculadas na terceira etapa. Em todas as etapas foram utilizados os funcionais LDA e PBE. Além disso, na segunda, na terceira e na quarta etapas, utilizamostambém o funcional HSE06. Como resultado, verificou-se que os parâmetros de rede obtidos, tanto com LDA quanto com PBE, foram próximos dos valores experimentais. Por sua vez, em relação às constantes elásticas e à energia de gap (propriedade eletrônica), o funcional HSE06 se mostrou mais próximo em relação aos dados experimentais. Por último, tabelamos todas as propriedades estudadas nesse projeto, a fim de que o leitor possa escolher, dentre os materiais disponíveis, o mais adequado para uma determinada aplicação desejada
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2021
- Data da defesa: 18.08.2021
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc-sa
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ABNT
BONANI, Fabio Danielli. Estudo da Teoria do Funcional da Densidade aplicada aos semicondutores III-V na fase wurtzita. 2021. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-28092021-101344/. Acesso em: 13 maio 2024. -
APA
Bonani, F. D. (2021). Estudo da Teoria do Funcional da Densidade aplicada aos semicondutores III-V na fase wurtzita (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-28092021-101344/ -
NLM
Bonani FD. Estudo da Teoria do Funcional da Densidade aplicada aos semicondutores III-V na fase wurtzita [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-28092021-101344/ -
Vancouver
Bonani FD. Estudo da Teoria do Funcional da Densidade aplicada aos semicondutores III-V na fase wurtzita [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-28092021-101344/ - Study of semiconductor AlN with density functional theory
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Informações sobre o DOI: 10.11606/D.76.2021.tde-28092021-101344 (Fonte: oaDOI API)
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