Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs (2023)
- Authors:
- Autor USP: CANTALICE, TIAGO FERNANDES DE - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- DOI: 10.11606/T.43.2023.tde-17072023-083140
- Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR; NANOPARTÍCULAS; RUGOSIDADE SUPERFICIAL; INSTRUMENTO ÓPTICO
- Keywords: EPITAXIA; EPITAXY; FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO; INFRARED PHOTODETECTORS; PONTOS QUÂNTICOS DE SUBMONOCAMADAS; SEGREGAÇÃO; SEGREGATION; SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS
- Agências de fomento:
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho, investigamos a formação dos pontos quânticos de submonocamadas (SMLQDs, Submonolayer Quantum Dots) de InAs/GaAs na presença de uma reconstrução de superfície (2x4) ou c(4x4) e comparamos suas propriedades com as de pontos quânticos convencionais de Stranski-Krastanov de InAs e poços quânticos de InGaAs com composição média similar de In. Para isso, utilizamos a técnica de fotoluminscência variando a potência do laser e a temperatura, assim como a técnica de recozimento térmico rápido. Como observamos nesse estudo uma grande influência da segregação dos átomos de In na formação das ilhas de InAs que constituem os SMLQDs, utilizamos uma metodologia inventada anteriormente em nosso grupo baseada na técnica de difração e reflexão de elétrons de alta energia para medir sua influência em cada uma das condições de crescimento necessárias para se obter a reconstrução de superfície (2x4) e c(4x4). Também calculamos o campo de tensão produzido por pequenas ilhas bidimensionais de InAs no seu entorno, com valores dos parâmetros mais realistas que os geralmente encontrados na literatura, para quantificar a deformação da matriz de GaAs em volta e inferir a probabilidade de alinhamento vertical dessas ilhas na formação dos SMLQDs.Por fim, produzimos um fotodetector de radiação infravermelha contendo SMLQDs na presença de uma reconstrução de superfície c(4x4) para medir o grau de confinamento dos portadores e suas principais figuras de mérito, e confirmamos o seu excelente desempenho
- Imprenta:
- Data da defesa: 26.06.2023
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- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc-sa
-
ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/. Acesso em: 16 maio 2024. -
APA
Cantalice, T. F. de. (2023). Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/ -
NLM
Cantalice TF de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/ -
Vancouver
Cantalice TF de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/ - Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction
- Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots
- INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS
- Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots
- Growth of a submonolayer quantum dot infrared photodetector in the presence of a c(4x4) surface reconstruction
- Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors
- Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots
- In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots
- Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector
- Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction
Informações sobre o DOI: 10.11606/T.43.2023.tde-17072023-083140 (Fonte: oaDOI API)
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