Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity (2023)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; DUARTE, PEDRO HENRIQUE - EP ; RAMOS, DANIEL AUGUSTO - EP ; YOJO, LEONARDO SHIMIZU - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/11101.0279ecst
- Subjects: ELETRODO; REFRATÁRIOS; METALOGRAFIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Philadelphia
- Date published: 2023
- Source:
- Título do periódico: ECS Transactions
- ISSN: 1938-6737
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 111, n. 1,p. 279-284, 2023
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
DUARTE, Pedro Henrique et al. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, v. 111, n. 1, p. 279-284, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst. Acesso em: 27 abr. 2024. -
APA
Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, 111( 1), 279-284. doi:10.1149/11101.0279ecst -
NLM
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst -
Vancouver
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst - ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing
- An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET
- Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET
- Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor
- Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET
- Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores
- The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
- Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C
- Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
- Components of the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high temperatures
Informações sobre o DOI: 10.1149/11101.0279ecst (Fonte: oaDOI API)
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