ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing (2023)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; DUARTE, PEDRO HENRIQUE - EP ; RAMOS, DANIEL AUGUSTO - EP ; YOJO, LEONARDO SHIMIZU - EP ; MORI, CARLOS AUGUSTO BERGFELD - EP ; SASAKI, KATIA REGINA AKEMI - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.29292/jics.v18i1.646
- Subjects: TRANSISTORES; SOLUÇÕES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 2023
- Source:
- Título do periódico: Journal of Integrated Circuits and Systems
- ISSN: 1807-1953
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc-nd
-
ABNT
DUARTE, Pedro Henrique et al. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646. Acesso em: 27 abr. 2024. -
APA
Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2023). ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-4. doi:10.29292/jics.v18i1.646 -
NLM
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646 -
Vancouver
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646 - Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity
- An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET
- Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET
- Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs
- Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM
- Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs
- Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View
- Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM
- Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices
- Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI
Informações sobre o DOI: 10.29292/jics.v18i1.646 (Fonte: oaDOI API)
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