Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors (2023)
- Authors:
- Autor USP: SOUTO, RAYANA CARVALHO DE BARROS - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1109/SBMicro60499.2023.10302596
- Subjects: TRANSISTORES; MICROELETRÔNICA; MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: IEEE
- Publisher place: [Piscataway]
- Date published: 2023
- Source:
- Título do periódico: SBMicro
- Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SOUTO, Rayana Carvalho de Barros e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596. Acesso em: 27 abr. 2024. -
APA
Souto, R. C. de B., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302596 -
NLM
Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596 -
Vancouver
Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596
Informações sobre o DOI: 10.1109/SBMicro60499.2023.10302596 (Fonte: oaDOI API)
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