Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (2024)
- Authors:
- Autor USP: SOUZA, ADÉLCIO MARQUES DE - EESC
- Unidade: EESC
- Sigla do Departamento: SEL
- DOI: 10.11606/T.18.2024.tde-08042024-113044
- Subjects: NANOELETRÔNICA; NANOTECNOLOGIA; TRANSISTORES; ENGENHARIA ELÉTRICA
- Keywords: Modelagem compacta.; Nanotransistores.; Transistores de nanofio sem junções
- Agências de fomento:
- Language: Português
- Abstract: Diante da iminente saturação da Lei de Moore, a comunidade acadêmica se empenha na exploração de alternativas ao MOSFET convencional de silício, seja inovando nos princípios de funcionamento dos transistores ou adotando materiais recém-descobertos. Diante desse cenário, esta tese apresenta uma análise aprofundada e uma proposta de modelagem compacta para dois tipos de nanodispositivos emergentes: os transistores de nanofio sem junções (JLNWFETs) e os transistores baseados em materiais bidimensionais (2DFETs). Na primeira parte do trabalho, uma investigação detalhada dos JLNWFETs é conduzida, abrangendo desde os princípios de funcionamento até a análise minuciosa dos regimes de operação e de suas características específicas. Ato contínuo, é proposta uma modelagem compacta para JLNWFETs cilíndricos, centrada na descrição intuitiva do dispositivo como um resistor cuja resistividade é controlada pela porta. Incluindo efeitos de canal-curto e outras não-idealidades, são obtidas expressões totalmente analíticas e explícitas para descrever as características de carga, capacitância e corrente destes transistores. A segunda parte deste trabalho explora os 2DFETs, destacando as propriedades fundamentais dos semicondutores bidimensionais e as características ímpares que introduzem à nanoeletrônica. Inicialmente, é feita uma análise crítica do estado-da-arte e da perspectiva futura de emprego destes transistores emergentes. Na sequência, modelos compactos são desenvolvidos para as características de corrente dos 2DFETs, abrangendo desde o transporte de portadores por difusão-deriva até o limite balístico, e incorporando diversasnão-idealidades. Em suma, este trabalho apresenta uma contribuição para a modelagem compacta de nanotransistores avançados, oferecendo tanto análises detalhadas quanto abordagens totalmente analíticas e explícitas para descrever estes dispositivos, antecipando as demandas da indústria de semicondutores.
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2024
- Data da defesa: 15.02.2024
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc-sa
-
ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/. Acesso em: 30 abr. 2024. -
APA
Souza, A. M. de. (2024). Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/ -
NLM
Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/ -
Vancouver
Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/ - Topologias WDM-PON utilizando auto-alimentação com dupla cavidade óptica para Fronthaul analógico de redes 5G
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Informações sobre o DOI: 10.11606/T.18.2024.tde-08042024-113044 (Fonte: oaDOI API)
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