Thermodynamic modeling and electronic properties of CsPb1-xSnxI3 as a polymorphic alloy (2024)
- Authors:
- Autor USP: BASTOS, CARLOS MACIÉL DE OLIVEIRA - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/j.jallcom.2024.174485
- Subjects: EFICIÊNCIA ENERGÉTICA; METAIS; FERROELETRICIDADE
- Keywords: Metal halide perovskites (MHPs); All-inorganic perovskite alloys; Generalized quasichemical approximation; Density functional theory; DFT-1/2
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Alloys and Compounds
- ISSN: 0925-8388
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 992, p. 174485-1-174485-12 + supplementary material, July 2024
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ARAUJO, Luis Octavio de et al. Thermodynamic modeling and electronic properties of CsPb1-xSnxI3 as a polymorphic alloy. Journal of Alloys and Compounds, v. 992, p. 174485-1-174485-12 + supplementary material, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.174485. Acesso em: 28 maio 2024. -
APA
Araujo, L. O. de, Rêgo, C. R. C., Wenzel , W., Bastos, C. M. de O., Piotrowski, M. J., Dias, A. C., & Guedes Sobrinho, D. (2024). Thermodynamic modeling and electronic properties of CsPb1-xSnxI3 as a polymorphic alloy. Journal of Alloys and Compounds, 992, 174485-1-174485-12 + supplementary material. doi:10.1016/j.jallcom.2024.174485 -
NLM
Araujo LO de, Rêgo CRC, Wenzel W, Bastos CM de O, Piotrowski MJ, Dias AC, Guedes Sobrinho D. Thermodynamic modeling and electronic properties of CsPb1-xSnxI3 as a polymorphic alloy [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2024 ; 992 174485-1-174485-12 + supplementary material.[citado 2024 maio 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.174485 -
Vancouver
Araujo LO de, Rêgo CRC, Wenzel W, Bastos CM de O, Piotrowski MJ, Dias AC, Guedes Sobrinho D. Thermodynamic modeling and electronic properties of CsPb1-xSnxI3 as a polymorphic alloy [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2024 ; 992 174485-1-174485-12 + supplementary material.[citado 2024 maio 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.174485 - Realistic g-factor and k.p parameters in III-V semiconductors and prediction of semiconductors layered materials
- Determinação de parâmetros para Hamiltonianos k.p a partir de estruturas de bandas pré-existentes
- Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.jallcom.2024.174485 (Fonte: oaDOI API)
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