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Artigo de periodico
Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers (1998)
Levine, A; Silva, E C F da; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA
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ABNT
LEVINE, A et al. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 301-306, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 301-306. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
NLM
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Artigo de periodico
Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy (1998)
Soares, J A N T; Enderlein, R; Beliaev, D; Leite, J. R.; Saito, M
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Subjects: ENGENHARIA MECÂNICA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy. Semiconductor Science and Technology, v. 13, n. 12, p. 1418-1425, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/13/12/015. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Beliaev, D., Leite, J. R., & Saito, M. (1998). Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy. Semiconductor Science and Technology, 13( 12), 1418-1425. doi:10.1088/0268-1242/13/12/015
NLM
Soares JANT, Enderlein R, Beliaev D, Leite JR, Saito M. Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1998 ; 13( 12): 1418-1425.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/13/12/015
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Soares JANT, Enderlein R, Beliaev D, Leite JR, Saito M. Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1998 ; 13( 12): 1418-1425.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/13/12/015
Artigo de periodico
Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors (1998)
Beliaev, D; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BELIAEV, D et al. Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B, v. 210, n. 2, p. 777-781, 1998Tradução . . Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (1998). Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B, 210( 2), 777-781.
NLM
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 777-781.[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 777-781.[citado 2024 jun. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers (1996)
Levine, A; Silva, E C F; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LEVINE, A et al. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1996). Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Levine A, Silva ECF, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Levine A, Silva ECF, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 01 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance investigations of semiconductor device structures (1995)
Soares, J A N T; Beliaev, D; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Saito, M; Leite, J. R.
Source: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 267-72, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Beliaev, D., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Saito, M., & Leite, J. R. (1995). Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Materials Science & Engineering B, 35, 267-72. doi:10.1016/0921-5107(95)01340-7
NLM
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Saito M, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7
Vancouver
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Saito M, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres (1995)
Soares, J A N T; Beliaev, D; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engeneering B. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 01 jun. 2024. , 1995
APA
Soares, J. A. N. T., Beliaev, D., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 jun. 01 ]
Artigo de periodico
Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon (1995)
Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications, v. 93, p. 469-9, 1995Tradução . . Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1995). Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications, 93, 469-9.
NLM
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications. 1995 ;93 469-9.[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Energy levels due to n-type'GAMA'-doping in silicon. Solid State Communications. 1995 ;93 469-9.[citado 2024 jun. 01 ]
Artigo de periodico
Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures (1995)
Enderlein, R; Beliaev, D; Soares, J A N T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures. Physical Review B, v. 52, p. 2814-22, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Enderlein, R., Beliaev, D., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures. Physical Review B, 52, 2814-22. doi:10.1103/physrevb.52.2814
NLM
Enderlein R, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Leite JR. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52 2814-22.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814
Vancouver
Enderlein R, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Leite JR. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52 2814-22.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814
Trabalho de evento-anais periodico
Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction (1995)
Leite, J. R.; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Beliaev, D; Quivy, A. A.
Source: Materials Science and Engeneering B. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 01 jun. 2024. , 1995
APA
Leite, J. R., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Beliaev, D., & Quivy, A. A. (1995). Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 jun. 01 ]
Artigo de periodico
Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction (1995)
Leite, J. R.; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Beliaev, D; Quivy, A. A.
Source: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 250-5, 1995Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Leite, J. R., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Beliaev, D., & Quivy, A. A. (1995). Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science & Engineering B, 35, 250-5. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf
NLM
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf
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Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/47d23d06-b5cf-4cd4-9f85-4cadde9485b1/1-s2.0-0921510795013261-main.pdf
Artigo de periodico
Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors (1994)
Beliaev, D; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELIAEV, D e SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 270-3, 1994Tradução . . Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 270-3.
NLM
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 270-3.[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical investigation of differential photoreflectance spectra from planar-doped layers in semiconductors. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 270-3.[citado 2024 jun. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI' (1994)
Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1994). Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. Resumos. 1994 ;[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'. Resumos. 1994 ;[citado 2024 jun. 01 ]
Artigo de periodico
Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method (1994)
Beliaev, D; Enderlein, R; Soares, J A N T; Scolfaro, L M R; Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELIAEV, D et al. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, v. 15, n. 3 , p. 339-43, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Beliaev, D., Enderlein, R., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1994). Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, 15( 3 ), 339-43. doi:10.1006/spmi.1994.1066
NLM
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
Vancouver
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
Artigo de periodico
Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures (1994)
Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Mendonca, C A C; Beliaev, D; Shibli, S M; Silva, E C F; Meneses, E A
Source: Materials Science Forum. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum, v. 143-7, p. 669-74, 1994Tradução . . Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Mendonca, C. A. C., Beliaev, D., Shibli, S. M., Silva, E. C. F., & Meneses, E. A. (1994). Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum, 143-7, 669-74.
NLM
Scolfaro LMR, Leite JR, Mendonca CAC, Beliaev D, Shibli SM, Silva ECF, Meneses EA. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum. 1994 ;143-7 669-74.[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Leite JR, Mendonca CAC, Beliaev D, Shibli SM, Silva ECF, Meneses EA. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum. 1994 ;143-7 669-74.[citado 2024 jun. 01 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon (1994)
Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon. Physical Review B, v. 50, n. 12, p. 8699-705, 1994Tradução . . Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1994). Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon. Physical Review B, 50( 12), 8699-705.
NLM
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon. Physical Review B. 1994 ;50( 12): 8699-705.[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Beliaev D, Enderlein R, Leite JR. Electronic structure of n-type 'DELTA'-doping multiple layers and superlattices in silicon. Physical Review B. 1994 ;50( 12): 8699-705.[citado 2024 jun. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores (1994)
Lino, A T; Takahashi, E K; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., & Leite, J. R. (1994). Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2024 jun. 01 ]
Artigo de periodico
Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures (1993)
Mendonca, C A C; Plentz, F; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Shibli, S M; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MENDONCA, C A C et al. Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B, v. 48, n. 16, p. 12316, 1993Tradução . . Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Mendonca, C. A. C., Plentz, F., Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., et al. (1993). Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B, 48( 16), 12316.
NLM
Mendonca CAC, Plentz F, Oliveira JBB, Meneses EA, Scolfaro LMR, Beliaev D, Shibli SM, Leite JR. Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B. 1993 ;48( 16): 12316.[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Mendonca CAC, Plentz F, Oliveira JBB, Meneses EA, Scolfaro LMR, Beliaev D, Shibli SM, Leite JR. Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B. 1993 ;48( 16): 12316.[citado 2024 jun. 01 ]
Artigo de periodico
New theoretical model for optical transitions in the photoreflectance spectrum from 'GHAMA'-doped structures (1993)
Beliaev, D; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELIAEV, D e SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. New theoretical model for optical transitions in the photoreflectance spectrum from 'GHAMA'-doped structures. Semiconductor Science and Technology, v. 8 , p. 1479, 1993Tradução . . Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1993). New theoretical model for optical transitions in the photoreflectance spectrum from 'GHAMA'-doped structures. Semiconductor Science and Technology, 8 , 1479.
NLM
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. New theoretical model for optical transitions in the photoreflectance spectrum from 'GHAMA'-doped structures. Semiconductor Science and Technology. 1993 ;8 1479.[citado 2024 jun. 01 ]
Vancouver
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. New theoretical model for optical transitions in the photoreflectance spectrum from 'GHAMA'-doped structures. Semiconductor Science and Technology. 1993 ;8 1479.[citado 2024 jun. 01 ]

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