ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-resumo
Calculation of the theoretical charge density of a drug-drug cocrystal (2018)
Wanderley, A. B.; Souza, M. S.; Clavijo, J. C. T.; Camps, I.; Ellena, Javier
Source: Libro de Resúmenes. Conference titles: Reunión de la Asociación Latinoamericana de Cristalografía. Unidade: IFSC
Subjects: PLANEJAMENTO DE FÁRMACOS, CRISTALOGRAFIA, SAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, A. B. et al. Calculation of the theoretical charge density of a drug-drug cocrystal. 2018, Anais.. Chile: Asociación Chilena de Cristalografía - AChCr, 2018. Disponível em: https://cristalografiachile.files.wordpress.com/2018/10/libro_resumenes_laca_20181.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Wanderley, A. B., Souza, M. S., Clavijo, J. C. T., Camps, I., & Ellena, J. (2018). Calculation of the theoretical charge density of a drug-drug cocrystal. In Libro de Resúmenes. Chile: Asociación Chilena de Cristalografía - AChCr. Recuperado de https://cristalografiachile.files.wordpress.com/2018/10/libro_resumenes_laca_20181.pdf
NLM
Wanderley AB, Souza MS, Clavijo JCT, Camps I, Ellena J. Calculation of the theoretical charge density of a drug-drug cocrystal [Internet]. Libro de Resúmenes. 2018 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://cristalografiachile.files.wordpress.com/2018/10/libro_resumenes_laca_20181.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Souza MS, Clavijo JCT, Camps I, Ellena J. Calculation of the theoretical charge density of a drug-drug cocrystal [Internet]. Libro de Resúmenes. 2018 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://cristalografiachile.files.wordpress.com/2018/10/libro_resumenes_laca_20181.pdf
Trabalho de evento-resumo
Análise topológica da densidade de carga eletrônica teórica em sistemas periódicos (2018)
Wanderley, A. B.; Clavijo, J. C. T.; Souza, M. S.; Camps, I.; Ellena, Javier
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: CRISTALOGRAFIA, PLANEJAMENTO DE FÁRMACOS, INSUMOS FARMACÊUTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, A. B. et al. Análise topológica da densidade de carga eletrônica teórica em sistemas periódicos. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2018. . Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Wanderley, A. B., Clavijo, J. C. T., Souza, M. S., Camps, I., & Ellena, J. (2018). Análise topológica da densidade de carga eletrônica teórica em sistemas periódicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Wanderley AB, Clavijo JCT, Souza MS, Camps I, Ellena J. Análise topológica da densidade de carga eletrônica teórica em sistemas periódicos. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 maio 24 ]
Vancouver
Wanderley AB, Clavijo JCT, Souza MS, Camps I, Ellena J. Análise topológica da densidade de carga eletrônica teórica em sistemas periódicos. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 maio 24 ]
Artigo de periodico
Order-disorder phase transition induced by proton transfer in a co-crystal of 2,4-dichlorobenzoic acid and trimethylamine N-oxid (2017)
D'Vries, R. F.; Moreno-Fuquen, R.; Camps, I.; Ayala, A. P.; Kennedy, A. R.; Reinheimer, E. W.; Ellena, Javier
Source: CrystEngComm. Unidade: IFSC
Subjects: CRISTALOGRAFIA, CRISTALIZAÇÃO, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
D'VRIES, R. F. et al. Order-disorder phase transition induced by proton transfer in a co-crystal of 2,4-dichlorobenzoic acid and trimethylamine N-oxid. CrystEngComm, v. 19, n. 27, p. 3753-3759, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/c7ce00835j. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
D'Vries, R. F., Moreno-Fuquen, R., Camps, I., Ayala, A. P., Kennedy, A. R., Reinheimer, E. W., & Ellena, J. (2017). Order-disorder phase transition induced by proton transfer in a co-crystal of 2,4-dichlorobenzoic acid and trimethylamine N-oxid. CrystEngComm, 19( 27), 3753-3759. doi:10.1039/c7ce00835j
NLM
D'Vries RF, Moreno-Fuquen R, Camps I, Ayala AP, Kennedy AR, Reinheimer EW, Ellena J. Order-disorder phase transition induced by proton transfer in a co-crystal of 2,4-dichlorobenzoic acid and trimethylamine N-oxid [Internet]. CrystEngComm. 2017 ; 19( 27): 3753-3759.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c7ce00835j
Vancouver
D'Vries RF, Moreno-Fuquen R, Camps I, Ayala AP, Kennedy AR, Reinheimer EW, Ellena J. Order-disorder phase transition induced by proton transfer in a co-crystal of 2,4-dichlorobenzoic acid and trimethylamine N-oxid [Internet]. CrystEngComm. 2017 ; 19( 27): 3753-3759.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1039/c7ce00835j
Artigo de periodico
Crystal structure of garciniaphenone and evidences on the relationship between keto-enol tautomerism and configuration (2008)
Martins, Felipe T.; Camps, I.; Doriguetto, Antonio C.; Santos, Marcelo H.; Ellena, Javier; Barbosa, Luiz C. A.
Source: Helvetica Chimica Acta. Unidade: IFSC
Subjects: PRODUTOS NATURAIS, CRISTALOGRAFIA, FRUTAS TROPICAIS, BRASIL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINS, Felipe T. et al. Crystal structure of garciniaphenone and evidences on the relationship between keto-enol tautomerism and configuration. Helvetica Chimica Acta, v. 91, n. 7, p. 1313-1325, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/hlca.200890143. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Martins, F. T., Camps, I., Doriguetto, A. C., Santos, M. H., Ellena, J., & Barbosa, L. C. A. (2008). Crystal structure of garciniaphenone and evidences on the relationship between keto-enol tautomerism and configuration. Helvetica Chimica Acta, 91( 7), 1313-1325. doi:10.1002/hlca.200890143
NLM
Martins FT, Camps I, Doriguetto AC, Santos MH, Ellena J, Barbosa LCA. Crystal structure of garciniaphenone and evidences on the relationship between keto-enol tautomerism and configuration [Internet]. Helvetica Chimica Acta. 2008 ; 91( 7): 1313-1325.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1002/hlca.200890143
Vancouver
Martins FT, Camps I, Doriguetto AC, Santos MH, Ellena J, Barbosa LCA. Crystal structure of garciniaphenone and evidences on the relationship between keto-enol tautomerism and configuration [Internet]. Helvetica Chimica Acta. 2008 ; 91( 7): 1313-1325.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1002/hlca.200890143
Artigo de periodico
Influence of minority carrier transport in the optical properties of double barrier diodes (2006)
Camps, I.; Vercik, Andrés; Santos, L. F. dos; Gobato, Y. G.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: FZEA
Subjects: ÓPTICA, DIODOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPS, I. et al. Influence of minority carrier transport in the optical properties of double barrier diodes. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 343-346, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300029. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Camps, I., Vercik, A., Santos, L. F. dos, & Gobato, Y. G. (2006). Influence of minority carrier transport in the optical properties of double barrier diodes. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 343-346. doi:10.1590/s0103-97332006000300029
NLM
Camps I, Vercik A, Santos LF dos, Gobato YG. Influence of minority carrier transport in the optical properties of double barrier diodes [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 343-346.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300029
Vancouver
Camps I, Vercik A, Santos LF dos, Gobato YG. Influence of minority carrier transport in the optical properties of double barrier diodes [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 343-346.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300029
Artigo de periodico
Negative charged excitons in double barrier diodes (2005)
Camps, I.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Brasil, Maria J. S. P.; Marques, G. E.; Makler, Susana S.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: FZEA
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPS, I. et al. Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, v. no 2005, n. 11, p. 1038-1040, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Camps, I., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2005). Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, no 2005( 11), 1038-1040. doi:10.1016/j.mejo.2005.04.013
NLM
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Vancouver
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Artigo de periodico
Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices (2005)
Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Camps, I.; Marques, G. E.; Brasil, Maria J. S. P.; Makler, Susana S.
Source: Physical Review B. Unidade: FZEA
Subjects: FÍSICA, ÓPTICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VERCIK, Andrés et al. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices. Physical Review B, v. 71, n. 7, p. 075310/1-075310/6, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Camps, I., Marques, G. E., Brasil, M. J. S. P., & Makler, S. S. (2005). Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices. Physical Review B, 71( 7), 075310/1-075310/6. doi:10.1103/physrevb.71.075310
NLM
Vercik A, Galvão Gobato Y, Camps I, Marques GE, Brasil MJSP, Makler SS. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 7): 075310/1-075310/6.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310
Vancouver
Vercik A, Galvão Gobato Y, Camps I, Marques GE, Brasil MJSP, Makler SS. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 7): 075310/1-075310/6.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310
Artigo de periodico
The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes (2005)
Camps, I.; Makler, S. S.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Marques, G. E.; Brasil, Maria J. S. P.
Source: Solid State Communications. Unidade: FZEA
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPS, I. et al. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes. Solid State Communications, v. 135, n. 4, p. 241-246, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Camps, I., Makler, S. S., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Marques, G. E., & Brasil, M. J. S. P. (2005). The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes. Solid State Communications, 135( 4), 241-246. doi:10.1016/j.ssc.2005.04.026
NLM
Camps I, Makler SS, Vercik A, Galvão Gobato Y, Marques GE, Brasil MJSP. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 241-246.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026
Vancouver
Camps I, Makler SS, Vercik A, Galvão Gobato Y, Marques GE, Brasil MJSP. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 241-246.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026
Artigo de periodico
Photocurrent and photoluminescence studies of resonant tunneling diodes (2004)
Santos, L. F.; Vercik, Andrés; Camps, I.; Gobato, Y. G.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: FZEA
Subjects: ÓPTICA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, DIODOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, L. F. et al. Photocurrent and photoluminescence studies of resonant tunneling diodes. Materials Science and Engineering B, v. 112, n. 2-3, p. 131-133, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.019. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Santos, L. F., Vercik, A., Camps, I., & Gobato, Y. G. (2004). Photocurrent and photoluminescence studies of resonant tunneling diodes. Materials Science and Engineering B, 112( 2-3), 131-133. doi:10.1016/j.mseb.2004.05.019
NLM
Santos LF, Vercik A, Camps I, Gobato YG. Photocurrent and photoluminescence studies of resonant tunneling diodes [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2004 ; 112( 2-3): 131-133.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.019
Vancouver
Santos LF, Vercik A, Camps I, Gobato YG. Photocurrent and photoluminescence studies of resonant tunneling diodes [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2004 ; 112( 2-3): 131-133.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.019
Trabalho de evento-anais periodico
Selective voltage-controlled hole spin in non-magnetic resonant tunneling diodes (2004)
Bittencourt, A C R; Marques, G. E.; Galvão Gobato, Y.; Vercik, Andrés; Camps, I.; Brasil, M J S P
Source: Materials Research Society Symposium Proceedings. Conference titles: Spring Meeting - Symposium G - Semiconductor Spintronics. Unidade: FZEA
Subjects: SEMICONDUTORES, DIODOS, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BITTENCOURT, A C R et al. Selective voltage-controlled hole spin in non-magnetic resonant tunneling diodes. Materials Research Society Symposium Proceedings. Warrendale: Materials Research Society. . Acesso em: 24 maio 2024. , 2004
APA
Bittencourt, A. C. R., Marques, G. E., Galvão Gobato, Y., Vercik, A., Camps, I., & Brasil, M. J. S. P. (2004). Selective voltage-controlled hole spin in non-magnetic resonant tunneling diodes. Materials Research Society Symposium Proceedings. Warrendale: Materials Research Society.
NLM
Bittencourt ACR, Marques GE, Galvão Gobato Y, Vercik A, Camps I, Brasil MJSP. Selective voltage-controlled hole spin in non-magnetic resonant tunneling diodes. Materials Research Society Symposium Proceedings. 2004 ; 825E[citado 2024 maio 24 ]
Vancouver
Bittencourt ACR, Marques GE, Galvão Gobato Y, Vercik A, Camps I, Brasil MJSP. Selective voltage-controlled hole spin in non-magnetic resonant tunneling diodes. Materials Research Society Symposium Proceedings. 2004 ; 825E[citado 2024 maio 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Trion assisted tunneling in double barrier diodes (2004)
Vercik, Andrés; Camps, I.; Gobato, Yara Galvão; Brasil, M. J. S. P.; Marques, G. E.; Makler, Susana S.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: FZEA
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VERCIK, Andrés et al. Trion assisted tunneling in double barrier diodes. 2004, Anais.. Flagstaff: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Vercik, A., Camps, I., Gobato, Y. G., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2004). Trion assisted tunneling in double barrier diodes. In Abstracts. Flagstaff: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo.
NLM
Vercik A, Camps I, Gobato YG, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Trion assisted tunneling in double barrier diodes. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 maio 24 ]
Vancouver
Vercik A, Camps I, Gobato YG, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Trion assisted tunneling in double barrier diodes. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 maio 24 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

Date published

Subjects

Source title

Countries/Territories

Normalized affiliation

Non normalized affiliation