Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA (DEFEITO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
ABNT
CAROENA, Glaura et al. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf. Acesso em: 04 jun. 2024. , 2013APA
Caroena, G., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2013). Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdfNLM
Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdfVancouver
Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf