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Trabalho de evento-resumo
Estudo teorico da acao surfactante do 'TE' no crescimento de 'IN''AS': 'GA''AS' (1996)
Miwa, R H; Ferraz, A. C.; Rodrigues, W N; Chacham, H
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MIWA, R H et al. Estudo teorico da acao surfactante do 'TE' no crescimento de 'IN''AS': 'GA''AS'. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Miwa, R. H., Ferraz, A. C., Rodrigues, W. N., & Chacham, H. (1996). Estudo teorico da acao surfactante do 'TE' no crescimento de 'IN''AS': 'GA''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Miwa RH, Ferraz AC, Rodrigues WN, Chacham H. Estudo teorico da acao surfactante do 'TE' no crescimento de 'IN''AS': 'GA''AS'. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 07 ]
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC, Rodrigues WN, Chacham H. Estudo teorico da acao surfactante do 'TE' no crescimento de 'IN''AS': 'GA''AS'. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Reducao da energia elastica em interfaces 'GA''AS' / 'IN''AS' atraves da inclusao de 'TE' entre os materiais: calculo de energia total (1995)
Miwa, R H; Ferraz, A. C.; Rodrigues, W N; Chacham, H
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MIWA, R H et al. Reducao da energia elastica em interfaces 'GA''AS' / 'IN''AS' atraves da inclusao de 'TE' entre os materiais: calculo de energia total. 1995, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Miwa, R. H., Ferraz, A. C., Rodrigues, W. N., & Chacham, H. (1995). Reducao da energia elastica em interfaces 'GA''AS' / 'IN''AS' atraves da inclusao de 'TE' entre os materiais: calculo de energia total. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Miwa RH, Ferraz AC, Rodrigues WN, Chacham H. Reducao da energia elastica em interfaces 'GA''AS' / 'IN''AS' atraves da inclusao de 'TE' entre os materiais: calculo de energia total. Resumos. 1995 ;[citado 2024 jun. 07 ]
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC, Rodrigues WN, Chacham H. Reducao da energia elastica em interfaces 'GA''AS' / 'IN''AS' atraves da inclusao de 'TE' entre os materiais: calculo de energia total. Resumos. 1995 ;[citado 2024 jun. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Microscopic models for 'AU'-'AU' and 'PT'-'PT' pair complexes in silicon (1990)
Alves, J L A; Chacham, H; Leite, J. R.
Conference titles: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ALVES, J L A e CHACHAM, H e LEITE, J. R. Microscopic models for 'AU'-'AU' and 'PT'-'PT' pair complexes in silicon. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Alves, J. L. A., Chacham, H., & Leite, J. R. (1990). Microscopic models for 'AU'-'AU' and 'PT'-'PT' pair complexes in silicon. In . Singapure: World Scientific.
NLM
Alves JLA, Chacham H, Leite JR. Microscopic models for 'AU'-'AU' and 'PT'-'PT' pair complexes in silicon. 1990 ;[citado 2024 jun. 07 ]
Vancouver
Alves JLA, Chacham H, Leite JR. Microscopic models for 'AU'-'AU' and 'PT'-'PT' pair complexes in silicon. 1990 ;[citado 2024 jun. 07 ]
Artigo de periodico
Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium (1989)
Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.; Chacham, H; Alves, J L A
Source: Institute of Physics Conference Series. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, v. 95, p. 453, 1989Tradução . . Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., Chacham, H., & Alves, J. L. A. (1989). Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, 95, 453.
NLM
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 jun. 07 ]
Vancouver
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 jun. 07 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors (1988)
Chacham, H; Alves, J L A; Siqueira, M L; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics and Chemistry of Solids. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
CHACHAM, H et al. Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids, v. 49, n. 8 , p. 969-73, 1988Tradução . . Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Chacham, H., Alves, J. L. A., Siqueira, M. L., & Leite, J. R. (1988). Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids, 49( 8 ), 969-73.
NLM
Chacham H, Alves JLA, Siqueira ML, Leite JR. Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1988 ;49( 8 ): 969-73.[citado 2024 jun. 07 ]
Vancouver
Chacham H, Alves JLA, Siqueira ML, Leite JR. Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1988 ;49( 8 ): 969-73.[citado 2024 jun. 07 ]
Artigo de periodico
Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond (1988)
Alves, H W L; Chacham, H; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: DIAMANTE
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ABNT
ALVES, H W L et al. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications, v. 67, n. 5 , p. 495-8, 1988Tradução . . Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Chacham, H., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1988). Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications, 67( 5 ), 495-8.
NLM
Alves HWL, Chacham H, Alves JLA, Leite JR. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications. 1988 ;67( 5 ): 495-8.[citado 2024 jun. 07 ]
Vancouver
Alves HWL, Chacham H, Alves JLA, Leite JR. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications. 1988 ;67( 5 ): 495-8.[citado 2024 jun. 07 ]
Artigo de periodico
Study of some electronic properties of the 'BH POT.- IND.4' ion through the variational cellular method (1985)
Chacham, H; Siqueira, M L; Alves, J L A; Ferreira, L G
Source: Journal of Molecular Structure: Theochem. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHACHAM, H et al. Study of some electronic properties of the 'BH POT.- IND.4' ion through the variational cellular method. Journal of Molecular Structure: Theochem, v. 120, p. 207-11, 1985Tradução . . Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Chacham, H., Siqueira, M. L., Alves, J. L. A., & Ferreira, L. G. (1985). Study of some electronic properties of the 'BH POT.- IND.4' ion through the variational cellular method. Journal of Molecular Structure: Theochem, 120, 207-11.
NLM
Chacham H, Siqueira ML, Alves JLA, Ferreira LG. Study of some electronic properties of the 'BH POT.- IND.4' ion through the variational cellular method. Journal of Molecular Structure: Theochem. 1985 ;120 207-11.[citado 2024 jun. 07 ]
Vancouver
Chacham H, Siqueira ML, Alves JLA, Ferreira LG. Study of some electronic properties of the 'BH POT.- IND.4' ion through the variational cellular method. Journal of Molecular Structure: Theochem. 1985 ;120 207-11.[citado 2024 jun. 07 ]

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