Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA (CONGRESSOS), FILMES FINOS (CONGRESSOS)
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ABNT
COSTA, Harliton Jonas da et al. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). 2013, Anais.. São Paulo: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf. Acesso em: 05 jun. 2024.APA
Costa, H. J. da, David, D. G. F., Silva, A. F. da, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., & Freitas Junior, J. A. (2013). Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdfNLM
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 jun. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdfVancouver
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 jun. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
