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Artigo de periodico
Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides (2023)
Querne, Mateus Bazan Peters ; Bracht, Jean M; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Janotti, Anderson; Lima, Matheus P
Source: Physical Review B. Unidade: IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUERNE, Mateus Bazan Peters et al. Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides. Physical Review B, p. 085409, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.085409. Acesso em: 10 jun. 2024.
APA
Querne, M. B. P., Bracht, J. M., Silva, J. L. F. da, Janotti, A., & Lima, M. P. (2023). Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides. Physical Review B, 085409. doi:10.1103/PhysRevB.108.085409
NLM
Querne MBP, Bracht JM, Silva JLF da, Janotti A, Lima MP. Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 085409.[citado 2024 jun. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.085409
Vancouver
Querne MBP, Bracht JM, Silva JLF da, Janotti A, Lima MP. Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 085409.[citado 2024 jun. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.085409
Trabalho de evento-resumo
An ab initio investigation of groups III-V monochalcogenides (2022)
Querne, Mateus Bazan Peters ; Bracht, Jean M; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Janotti, Anderson; Lima, Matheus Paes
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: APS March Meeting 2022. Unidade: IQSC
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, MATERIAIS
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ABNT
QUERNE, Mateus Bazan Peters et al. An ab initio investigation of groups III-V monochalcogenides. 2022, Anais.. Chicago: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2022. Disponível em: https://meetings.aps.org/Meeting/MAR22/Session/Z60. Acesso em: 10 jun. 2024.
APA
Querne, M. B. P., Bracht, J. M., Silva, J. L. F. da, Janotti, A., & Lima, M. P. (2022). An ab initio investigation of groups III-V monochalcogenides. In Bulletin of the American Physical Society. Chicago: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://meetings.aps.org/Meeting/MAR22/Session/Z60
NLM
Querne MBP, Bracht JM, Silva JLF da, Janotti A, Lima MP. An ab initio investigation of groups III-V monochalcogenides [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2022 ;[citado 2024 jun. 10 ] Available from: https://meetings.aps.org/Meeting/MAR22/Session/Z60
Vancouver
Querne MBP, Bracht JM, Silva JLF da, Janotti A, Lima MP. An ab initio investigation of groups III-V monochalcogenides [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2022 ;[citado 2024 jun. 10 ] Available from: https://meetings.aps.org/Meeting/MAR22/Session/Z60
Tese (Doutorado)
Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores (1999)
Janotti, Anderson; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
JANOTTI, Anderson. Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores. 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/. Acesso em: 10 jun. 2024.
APA
Janotti, A. (1999). Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/
NLM
Janotti A. Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores [Internet]. 1999 ;[citado 2024 jun. 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/
Vancouver
Janotti A. Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores [Internet]. 1999 ;[citado 2024 jun. 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/
Artigo de periodico
Defect complexes in GaAs: first-principles calculations (1997)
Janotti, Anderson; Fazzio, Adalberto; Piquini, P; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, Anderson et al. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, v. 56, n. 20, p. 13073-13076, 1997Tradução . . Acesso em: 10 jun. 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, 56( 20), 13073-13076.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.[citado 2024 jun. 10 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.[citado 2024 jun. 10 ]

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