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  • Source: 2D Materials. Unidade: IF

    Subjects: FÉRMIO, POÇOS QUÂNTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      GUSEV, Gennady et al. Transport through the network of topological channels in HgTe based quantum well. 2D Materials, v. 9, n. 1, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/2053-1583/ac351e. Acesso em: 29 maio 2024.
    • APA

      Gusev, G., Kvon, Z. D., Kozlov, D. A., Olshanetsky, E. B., Entin, M. V., & Mikhailov, N. N. (2022). Transport through the network of topological channels in HgTe based quantum well. 2D Materials, 9( 1). doi:10.1088/2053-1583/ac351e
    • NLM

      Gusev G, Kvon ZD, Kozlov DA, Olshanetsky EB, Entin MV, Mikhailov NN. Transport through the network of topological channels in HgTe based quantum well [Internet]. 2D Materials. 2022 ; 9( 1):[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1583/ac351e
    • Vancouver

      Gusev G, Kvon ZD, Kozlov DA, Olshanetsky EB, Entin MV, Mikhailov NN. Transport through the network of topological channels in HgTe based quantum well [Internet]. 2D Materials. 2022 ; 9( 1):[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1583/ac351e
  • Source: Physics Uspekhi. Unidade: IF

    Assunto: POÇOS QUÂNTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      KVON, Z D et al. Topological insulators based on HgTe. Physics Uspekhi, v. 63, n. 7, p. 629-647, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038669. Acesso em: 29 maio 2024.
    • APA

      Kvon, Z. D., Kozlov, D. A., Olshanetsky, E. B., Gusev, G. M., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2020). Topological insulators based on HgTe. Physics Uspekhi, 63( 7), 629-647. doi:10.3367/UFNe.2019.10.038669
    • NLM

      Kvon ZD, Kozlov DA, Olshanetsky EB, Gusev GM, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Topological insulators based on HgTe [Internet]. Physics Uspekhi. 2020 ; 63( 7): 629-647.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038669
    • Vancouver

      Kvon ZD, Kozlov DA, Olshanetsky EB, Gusev GM, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Topological insulators based on HgTe [Internet]. Physics Uspekhi. 2020 ; 63( 7): 629-647.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038669
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state. Physical Review B, v. 96, n. 4, p. 045304/1-045304/5, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304. Acesso em: 29 maio 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Kozlov, D. A., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2017). Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state. Physical Review B, 96( 4), 045304/1-045304/5. doi:10.1103/PhysRevB.96.045304
    • NLM

      Gusev GM, Kozlov DA, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state [Internet]. Physical Review B. 2017 ;96( 4): 045304/1-045304/5.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304
    • Vancouver

      Gusev GM, Kozlov DA, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state [Internet]. Physical Review B. 2017 ;96( 4): 045304/1-045304/5.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304

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