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  • Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      OLIVEIRA, R F et al. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf. Acesso em: 29 maio 2024. , 2020
    • APA

      Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Abramof, E. (2020). Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
    • NLM

      Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
    • Vancouver

      Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      LAMAS, Tomás Erikson e QUIVY, A. A. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 405-407, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046. Acesso em: 29 maio 2024.
    • APA

      Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2006). InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 405-407. doi:10.1590/s0103-97332006000300046
    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
  • Unidade: IF

    Subjects: FILMES FINOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, SEMICONDUTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      LAMAS, Tomás Erikson. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/. Acesso em: 29 maio 2024.
    • APA

      Lamas, T. E. (2004). Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
    • NLM

      Lamas TE. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
    • Vancouver

      Lamas TE. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
  • Unidade: IF

    Subjects: FILMES FINOS, FILMES FINOS, MICROSCOPIA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      LAMAS, Tomás Erikson e QUIVY, Alain André. Espectroscopia a nível atômico usando um microscópio de tunelamento (STM). 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-30082004-142115/. Acesso em: 29 maio 2024.
    • APA

      Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2000). Espectroscopia a nível atômico usando um microscópio de tunelamento (STM) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-30082004-142115/
    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA. Espectroscopia a nível atômico usando um microscópio de tunelamento (STM) [Internet]. 2000 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-30082004-142115/
    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA. Espectroscopia a nível atômico usando um microscópio de tunelamento (STM) [Internet]. 2000 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-30082004-142115/

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