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  • Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC

    Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      RODRIGUES, Sara C. P. e OLIVEIRA, Thiago F. e SIPAHI, Guilherme Matos. Optical properties of p-doped dilute nitride semiconductors under electric fields. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 12 jun. 2024.
    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Oliveira, T. F., & Sipahi, G. M. (2017). Optical properties of p-doped dilute nitride semiconductors under electric fields. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
    • NLM

      Rodrigues SCP, Oliveira TF, Sipahi GM. Optical properties of p-doped dilute nitride semiconductors under electric fields [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 jun. 12 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Oliveira TF, Sipahi GM. Optical properties of p-doped dilute nitride semiconductors under electric fields [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 jun. 12 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, LUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      RODRIGUES, Sara C. P. et al. Luminescence studies in p-doped diluted nitride semiconductors multiple quantum wells under electric fields. 2015, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0493-1.pdf. Acesso em: 12 jun. 2024.
    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Oliveira, T. F., Sipahi, G. M., & Silva Júnior, E. F. (2015). Luminescence studies in p-doped diluted nitride semiconductors multiple quantum wells under electric fields. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0493-1.pdf
    • NLM

      Rodrigues SCP, Oliveira TF, Sipahi GM, Silva Júnior EF. Luminescence studies in p-doped diluted nitride semiconductors multiple quantum wells under electric fields [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 jun. 12 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0493-1.pdf
    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Oliveira TF, Sipahi GM, Silva Júnior EF. Luminescence studies in p-doped diluted nitride semiconductors multiple quantum wells under electric fields [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 jun. 12 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0493-1.pdf
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Thiago F. et al. Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN. 2014, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf. Acesso em: 12 jun. 2024.
    • APA

      Oliveira, T. F., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Júnior, E. F. (2014). Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf
    • NLM

      Oliveira TF, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF. Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN [Internet]. Resumos. 2014 ;[citado 2024 jun. 12 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf
    • Vancouver

      Oliveira TF, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Júnior EF. Análise dos efeitos de tensão em espectros de fotoluminescência teóricos em nanoestruturas de GaAs/GaAsN [Internet]. Resumos. 2014 ;[citado 2024 jun. 12 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0544-1.pdf
  • Source: Nanoscale Research Letters. Conference titles: International Conference on Superlattices, Nanostructures, and Nanodevices - ICSNN. Unidade: IFSC

    Subjects: VANÁDIO, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SENSOR

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Thiago F. et al. Theoretical luminescence spectra in p-type quantum wells and superlattices based on 'IN''GA''AS'N. Nanoscale Research Letters. Heidelberg: SpringerOpen. Disponível em: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-607. Acesso em: 12 jun. 2024. , 2012
    • APA

      Oliveira, T. F., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. da. (2012). Theoretical luminescence spectra in p-type quantum wells and superlattices based on 'IN''GA''AS'N. Nanoscale Research Letters. Heidelberg: SpringerOpen. doi:10.1186/1556-276X-7-607
    • NLM

      Oliveira TF, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Silva Junior EF da. Theoretical luminescence spectra in p-type quantum wells and superlattices based on 'IN''GA''AS'N [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2012 ; 7 607-1-607-6.[citado 2024 jun. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-607
    • Vancouver

      Oliveira TF, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Silva Junior EF da. Theoretical luminescence spectra in p-type quantum wells and superlattices based on 'IN''GA''AS'N [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2012 ; 7 607-1-607-6.[citado 2024 jun. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-607

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