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  • Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS MAGNÉTICOS

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    • ABNT

      TELES, Lara K et al. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9. Acesso em: 08 jun. 2024.
    • APA

      Teles, L. K., Marques, M., Pelá, R. R., Ribeiro Junior, M., & Ferreira, L. G. (2013). Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
    • NLM

      Teles LK, Marques M, Pelá RR, Ribeiro Junior M, Ferreira LG. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 08 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
    • Vancouver

      Teles LK, Marques M, Pelá RR, Ribeiro Junior M, Ferreira LG. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 08 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, NÍQUEL

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SANTOS, J P T et al. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 101, n. 11, p. 112403, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4751285. Acesso em: 08 jun. 2024.
    • APA

      Santos, J. P. T., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2012). Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, 101( 11), 112403. doi:10.1063/1.4751285
    • NLM

      Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
    • Vancouver

      Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
  • Source: Applied physics letters. Unidade: IF

    Assunto: ALTA TEMPERATURA

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PELÁ, R R et al. Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach. Applied physics letters, v. 98, n. 15, p. 151907, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3576570. Acesso em: 08 jun. 2024.
    • APA

      Pelá, R. R., Ferreira, L. G., Caetano, C., Marques, M., Furthmüller, J., & Teles, L. K. (2011). Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach. Applied physics letters, 98( 15), 151907. doi:10.1063/1.3576570
    • NLM

      Pelá RR, Ferreira LG, Caetano C, Marques M, Furthmüller J, Teles LK. Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach [Internet]. Applied physics letters. 2011 ;98( 15): 151907.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3576570
    • Vancouver

      Pelá RR, Ferreira LG, Caetano C, Marques M, Furthmüller J, Teles LK. Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach [Internet]. Applied physics letters. 2011 ;98( 15): 151907.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3576570

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