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Artigo de periodico
Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study (2010)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Piquini, P; Arantes, José Tadeu; Baierle, Rogerio Jose; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195432, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195432. Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Piquini, P., Arantes, J. T., Baierle, R. J., & Fazzio, A. (2010). Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study. Physical Review B, 81( 19), 195432. doi:https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195432
NLM
Silva AJR da, Piquini P, Arantes JT, Baierle RJ, Fazzio A. Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195432.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195432
Vancouver
Silva AJR da, Piquini P, Arantes JT, Baierle RJ, Fazzio A. Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195432.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195432
Artigo de periodico
Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube (2006)
Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Physical Chemistry. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, v. 110, n. 42, p. 21184-21188, 2006Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf. Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Baierle, R. J., Piquini, P., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2006). Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, 110( 42), 21184-21188. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
NLM
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Vancouver
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Artigo de periodico
Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study (2005)
Piquini, P; Baierle, Rogerio Jose; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Nanotechnology. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
PIQUINI, P et al. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study. Nanotechnology, v. 16, n. 6, p. 827-831, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035. Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Piquini, P., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2005). Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study. Nanotechnology, 16( 6), 827-831. doi:10.1088/0957-4484/16/6/035
NLM
Piquini P, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2005 ; 16( 6): 827-831.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035
Vancouver
Piquini P, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2005 ; 16( 6): 827-831.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035
Artigo de periodico
Theoretical study of native defects in BN nanotubes (2003)
Schmidt, T M; Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, POLÍMEROS (MATERIAIS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, CRISTALOGRAFIA
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, v. 67, n. 11, p. 113407/1-113407/4, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407. Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Baierle, R. J., Piquini, P., & Fazzio, A. (2003). Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, 67( 11), 113407/1-113407/4. doi:10.1103/physrevb.67.113407
NLM
Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407
Vancouver
Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407
Trabalho de evento-anais periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Piquini, P; Mota, R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 06 jun. 2024. , 1998
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 jun. 06 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 jun. 06 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural trends in small 'GaAs' clusters (1998)
Piquini, P; Canuto, Sylvio; Fazzio, Adalberto
Source: Nanostructured Materials. Unidade: IF
Assunto: METALURGIA FÍSICA
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ABNT
PIQUINI, P e CANUTO, Sylvio e FAZZIO, Adalberto. Electronic and structural trends in small 'GaAs' clusters. Nanostructured Materials, v. 10, n. 4, p. 635-647, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0965-9773(98)00091-9. Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Piquini, P., Canuto, S., & Fazzio, A. (1998). Electronic and structural trends in small 'GaAs' clusters. Nanostructured Materials, 10( 4), 635-647. doi:10.1016/s0965-9773(98)00091-9
NLM
Piquini P, Canuto S, Fazzio A. Electronic and structural trends in small 'GaAs' clusters [Internet]. Nanostructured Materials. 1998 ; 10( 4): 635-647.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0965-9773(98)00091-9
Vancouver
Piquini P, Canuto S, Fazzio A. Electronic and structural trends in small 'GaAs' clusters [Internet]. Nanostructured Materials. 1998 ; 10( 4): 635-647.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0965-9773(98)00091-9
Trabalho de evento-resumo
Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Mota, R.; Piquini, P
Source: resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. In resumos. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 06 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 06 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs (1998)
Fazzio, A; Janotti, A.; Mota, R.; Piquini, P
Source: Radiation Effects and Defect in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
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ABNT
FAZZIO, A et al. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers. . Acesso em: 06 jun. 2024. , 1998
APA
Fazzio, A., Janotti, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers.
NLM
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 jun. 06 ]
Vancouver
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 jun. 06 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1997)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Piquini, P; Mota, R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 110-113, 1997Tradução . . Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 110-113.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2024 jun. 06 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2024 jun. 06 ]
Artigo de periodico
Defect complexes in GaAs: first-principles calculations (1997)
Janotti, Anderson; Fazzio, Adalberto; Piquini, P; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, Anderson et al. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, v. 56, n. 20, p. 13073-13076, 1997Tradução . . Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, 56( 20), 13073-13076.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.[citado 2024 jun. 06 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.[citado 2024 jun. 06 ]
Artigo de periodico
Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride (1997)
Piquini, P; Mota, R.; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P et al. Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride. Physical Review B, v. 56, n. 7, p. 3556-3559, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.3556. Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Piquini, P., Mota, R., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1997). Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride. Physical Review B, 56( 7), 3556-3559. doi:10.1103/physrevb.56.3556
NLM
Piquini P, Mota R, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 56( 7): 3556-3559.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.3556
Vancouver
Piquini P, Mota R, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 56( 7): 3556-3559.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.3556
Trabalho de evento-resumo
Estudo teorico de defeitos nativos em bn (1996)
Fazzio, A; Schmidt, T M; Piquini, P; Mota, R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A et al. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Fazzio, A., Schmidt, T. M., Piquini, P., & Mota, R. (1996). Estudo teorico de defeitos nativos em bn. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Fazzio A, Schmidt TM, Piquini P, Mota R. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 06 ]
Vancouver
Fazzio A, Schmidt TM, Piquini P, Mota R. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 06 ]
Artigo de periodico
Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model (1996)
Piquini, P; Dal Pino Junior, A; Fazzio, A
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e DAL PINO JUNIOR, A e FAZZIO, A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics, v. 26, n. 1 , p. 277-9, 1996Tradução . . Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Piquini, P., Dal Pino Junior, A., & Fazzio, A. (1996). Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics, 26( 1 ), 277-9.
NLM
Piquini P, Dal Pino Junior A, Fazzio A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 277-9.[citado 2024 jun. 06 ]
Vancouver
Piquini P, Dal Pino Junior A, Fazzio A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 277-9.[citado 2024 jun. 06 ]
Artigo de periodico
Contribution of electron transfer reaction to the quenching of tryptophan fluorescence (1995)
Goldman, C; Pascutti, P G; Piquini, P; Ito, Amando S.
Source: Biophysical Journal. Unidade: IF
Assunto: BIOFÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOLDMAN, C et al. Contribution of electron transfer reaction to the quenching of tryptophan fluorescence. Biophysical Journal, v. 68, n. 2 , p. a191, 1995Tradução . . Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Goldman, C., Pascutti, P. G., Piquini, P., & Ito, A. S. (1995). Contribution of electron transfer reaction to the quenching of tryptophan fluorescence. Biophysical Journal, 68( 2 ), a191.
NLM
Goldman C, Pascutti PG, Piquini P, Ito AS. Contribution of electron transfer reaction to the quenching of tryptophan fluorescence. Biophysical Journal. 1995 ;68( 2 ): a191.[citado 2024 jun. 06 ]
Vancouver
Goldman C, Pascutti PG, Piquini P, Ito AS. Contribution of electron transfer reaction to the quenching of tryptophan fluorescence. Biophysical Journal. 1995 ;68( 2 ): a191.[citado 2024 jun. 06 ]
Artigo de periodico
Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters (1995)
Piquini, P; Fazzio, A; Canuto, Sylvio
Source: Zeitschrift Fur Physik D. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e FAZZIO, A e CANUTO, Sylvio. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters. Zeitschrift Fur Physik D, v. 33, p. 125-31, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bf01437431. Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Piquini, P., Fazzio, A., & Canuto, S. (1995). Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters. Zeitschrift Fur Physik D, 33, 125-31. doi:10.1007/bf01437431
NLM
Piquini P, Fazzio A, Canuto S. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters [Internet]. Zeitschrift Fur Physik D. 1995 ;33 125-31.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bf01437431
Vancouver
Piquini P, Fazzio A, Canuto S. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters [Internet]. Zeitschrift Fur Physik D. 1995 ;33 125-31.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bf01437431
Artigo de periodico
On the contribution of electron transfer reactions to the quenching of tryptophan fluorescence (1995)
Goldman, C; Pascutti, P G; Piquini, P; Ito, Amando S.
Source: Journal of Chemical Physics. Unidade: IF
Assunto: BIOFÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOLDMAN, C et al. On the contribution of electron transfer reactions to the quenching of tryptophan fluorescence. Journal of Chemical Physics, v. 103, n. 24, p. 10614, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.469846. Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Goldman, C., Pascutti, P. G., Piquini, P., & Ito, A. S. (1995). On the contribution of electron transfer reactions to the quenching of tryptophan fluorescence. Journal of Chemical Physics, 103( 24), 10614. doi:10.1063/1.469846
NLM
Goldman C, Pascutti PG, Piquini P, Ito AS. On the contribution of electron transfer reactions to the quenching of tryptophan fluorescence [Internet]. Journal of Chemical Physics. 1995 ;103( 24): 10614.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.469846
Vancouver
Goldman C, Pascutti PG, Piquini P, Ito AS. On the contribution of electron transfer reactions to the quenching of tryptophan fluorescence [Internet]. Journal of Chemical Physics. 1995 ;103( 24): 10614.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.469846
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic studies of 'GA IND.3''AS IND.3', 'GA IND.4''AS IND.3' and'GA IND.3''AS IND.4' (1994)
Piquini, P; Fazzio, A; Canuto, Sylvio
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e FAZZIO, A e CANUTO, Sylvio. Structural and electronic studies of 'GA IND.3''AS IND.3', 'GA IND.4''AS IND.3' and'GA IND.3''AS IND.4'. 1994, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Piquini, P., Fazzio, A., & Canuto, S. (1994). Structural and electronic studies of 'GA IND.3''AS IND.3', 'GA IND.4''AS IND.3' and'GA IND.3''AS IND.4'. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Piquini P, Fazzio A, Canuto S. Structural and electronic studies of 'GA IND.3''AS IND.3', 'GA IND.4''AS IND.3' and'GA IND.3''AS IND.4'. Resumos. 1994 ;[citado 2024 jun. 06 ]
Vancouver
Piquini P, Fazzio A, Canuto S. Structural and electronic studies of 'GA IND.3''AS IND.3', 'GA IND.4''AS IND.3' and'GA IND.3''AS IND.4'. Resumos. 1994 ;[citado 2024 jun. 06 ]
Artigo de periodico
Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles (1994)
Piquini, P; Fazzio, A; Dal Pino Junior, A
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e FAZZIO, A e DAL PINO JUNIOR, A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. Surface Science, v. 313, p. 41-51, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0039-6028(94)91155-x. Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Piquini, P., Fazzio, A., & Dal Pino Junior, A. (1994). Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. Surface Science, 313, 41-51. doi:10.1016/0039-6028(94)91155-x
NLM
Piquini P, Fazzio A, Dal Pino Junior A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles [Internet]. Surface Science. 1994 ;313 41-51.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(94)91155-x
Vancouver
Piquini P, Fazzio A, Dal Pino Junior A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles [Internet]. Surface Science. 1994 ;313 41-51.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(94)91155-x
Trabalho de evento-resumo
Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles (1994)
Piquini, P; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e FAZZIO, A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. 1994, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Piquini, P., & Fazzio, A. (1994). Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Piquini P, Fazzio A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. Resumos. 1994 ;[citado 2024 jun. 06 ]
Vancouver
Piquini P, Fazzio A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. Resumos. 1994 ;[citado 2024 jun. 06 ]
Artigo de periodico
Structural and electronic studies of 'GA IND.3''AS IND.3''GA IND.4''AS IND.3', and 'GA IND.3''AS IND.4' (1994)
Piquini, P; Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Source: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e CANUTO, Sylvio e FAZZIO, A. Structural and electronic studies of 'GA IND.3''AS IND.3''GA IND.4''AS IND.3', and 'GA IND.3''AS IND.4'. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 28, p. 571-7, 1994Tradução . . Acesso em: 06 jun. 2024.
APA
Piquini, P., Canuto, S., & Fazzio, A. (1994). Structural and electronic studies of 'GA IND.3''AS IND.3''GA IND.4''AS IND.3', and 'GA IND.3''AS IND.4'. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 28, 571-7.
NLM
Piquini P, Canuto S, Fazzio A. Structural and electronic studies of 'GA IND.3''AS IND.3''GA IND.4''AS IND.3', and 'GA IND.3''AS IND.4'. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1994 ;28 571-7.[citado 2024 jun. 06 ]
Vancouver
Piquini P, Canuto S, Fazzio A. Structural and electronic studies of 'GA IND.3''AS IND.3''GA IND.4''AS IND.3', and 'GA IND.3''AS IND.4'. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1994 ;28 571-7.[citado 2024 jun. 06 ]

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