Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 03 jun. 2024.APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 jun. 03 ]Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 jun. 03 ]