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Trabalho de evento-resumo
Ab initio calculations of the structural and electronic properties of O vacancy in 'Ti''O IND. 2' and 'SN''O IND. 2' (2011)
Sousa, C O; Alves, H W Leite; Borges, P D; Assali, L. V. C. ; Scolfaro, L M R; Silva Jr, E F da
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: PARAMAGNETISMO
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ABNT
SOUSA, C O et al. Ab initio calculations of the structural and electronic properties of O vacancy in 'Ti''O IND. 2' and 'SN''O IND. 2'. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0034-4.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Sousa, C. O., Alves, H. W. L., Borges, P. D., Assali, L. V. C., Scolfaro, L. M. R., & Silva Jr, E. F. da. (2011). Ab initio calculations of the structural and electronic properties of O vacancy in 'Ti''O IND. 2' and 'SN''O IND. 2'. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0034-4.pdf
NLM
Sousa CO, Alves HWL, Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Silva Jr EF da. Ab initio calculations of the structural and electronic properties of O vacancy in 'Ti''O IND. 2' and 'SN''O IND. 2' [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0034-4.pdf
Vancouver
Sousa CO, Alves HWL, Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Silva Jr EF da. Ab initio calculations of the structural and electronic properties of O vacancy in 'Ti''O IND. 2' and 'SN''O IND. 2' [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0034-4.pdf
Trabalho de evento
Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys (2011)
Borges, Pablo Damasceno; Assali, L. V. C. ; Scolfaro, L M R; Alves, H W Leite; Silva Jr, E F da
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
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ABNT
BORGES, Pablo Damasceno et al. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Borges, P. D., Assali, L. V. C., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., & Silva Jr, E. F. da. (2011). Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
NLM
Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr EF da. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
Vancouver
Borges PD, Assali LVC, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr EF da. Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-1.pdf
Artigo de periodico
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems (2006)
Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, L M R
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MARQUES, M et al. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235205, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Scolfaro, L. M. R. (2006). Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, 73( 23), 235205. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices (2002)
Rodrigues, Sara C P; Scolfaro, L M R; Sipahi, Guilherme Matos; Noriega, O C; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi B. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, Sara C P et al. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, v. 234, n. 3, p. 906-910, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2002). K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, 234( 3), 906-910. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Furthmuller, K; Bechstedt, F
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: TERMODINÂMICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
TELES, L. K. et al. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, v. 80, n. 7, p. 1177-1178, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, K., & Bechstedt, F. (2002). Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, 80( 7), 1177-1178. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2024 maio 23 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics:Condensed Matter. Unidades: IFSC, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MECÂNICA ESTATÍSTICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices. Journal of Physics:Condensed Matter, v. 13, p. 3381-3387, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices. Journal of Physics:Condensed Matter, 13, 3381-3387. doi:10.1088/0953-8984/13/14/311
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics:Condensed Matter. 2001 ; 13 3381-3387.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics:Condensed Matter. 2001 ; 13 3381-3387.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311
Trabalho de evento-resumo
Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells (2001)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Program and abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. 2001, Anais.. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. In Program and abstracts. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302-303, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302-303, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ;302-303 106-113.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ;302-303 106-113.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A. ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures (1998)
Tabata, A; Levine, A; Marti ceschin, A; Quivy, A. A.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Radiation Effects & Defects in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Seminconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach. . Acesso em: 23 maio 2024. , 1998
APA
Tabata, A., Levine, A., Marti ceschin, A., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach.
NLM
Tabata A, Levine A, Marti ceschin A, Quivy AA, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 207-214.[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Tabata A, Levine A, Marti ceschin A, Quivy AA, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 207-214.[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs (1998)
Sipahi, Guilherme Matos; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Silva, E C F da; Levine, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, v. 57, n. 15, p. 9168-9178, 1998Tradução . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Silva, E. C. F. da, & Levine, A. (1998). Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, 57( 15), 9168-9178.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Sipahi, Guilherme Matos; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Microelectronic Engineering. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidades: IF, IME
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ENGENHARIA AUTOMOBILÍSTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSA, A L et al. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science. . Acesso em: 23 maio 2024. , 1998
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors (1998)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters, v. 80, n. 14, p. 3160, 1998Tradução . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters, 80( 14), 3160.
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters. 1998 ; 80( 14): 3160.[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters. 1998 ; 80( 14): 3160.[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo (1998)
Marques, M; Scolfaro, L M R
Source: Engenharias e exatas. Conference titles: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA (ESTUDO E ENSINO)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M e SCOLFARO, L M R. Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. 1998, Anais.. São Paulo: USP, 1998. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Marques, M., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. In Engenharias e exatas. São Paulo: USP.
NLM
Marques M, Scolfaro LMR. Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. Engenharias e exatas. 1998 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR. Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. Engenharias e exatas. 1998 ;[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells (1998)
Lino, A T; Scolfaro, L M R
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T e SCOLFARO, L M R. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, v. 58, n. 11, p. 6720-6723, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Lino, A. T., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, 58( 11), 6720-6723. doi:10.1103/physrevb.58.6720
NLM
Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
Vancouver
Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
Artigo de periodico
Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers (1998)
Levine, A; Silva, E C F da; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A et al. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 301-306, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf. Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 301-306. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
NLM
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 maio 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Trabalho de evento-resumo
Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells (1998)
Sotomayor, N M; Soares, J A N T; Sperandio, A L; Quivy, A. A.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOTOMAYOR, N M et al. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Sotomayor, N. M., Soares, J. A. N. T., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 23 ]
Artigo de periodico
p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSA, A L et al. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, v. 58, n. 23, p. 15675-15687, 1998Tradução . . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Sipahi, G. M., & Leite, J. R. (1998). p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, 58( 23), 15675-15687.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSA, A L et al. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 23 maio 2024.
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Sipahi, G. M., & Leite, J. R. (1998). Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 23 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study (1998)
Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Tabata, A; Lischka, K; Schikora, D; Bechstedt, F
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Silicon Carbide III Nitride and Related Materials. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Juarez Lopes Ferreira da et al. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing. . Acesso em: 23 maio 2024. , 1998
APA
Silva, J. L. F. da, Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Tabata, A., Lischka, K., et al. (1998). Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing.
NLM
Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2024 maio 23 ]
Vancouver
Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2024 maio 23 ]

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