Filtros : "Scopel, Wanderlã Luis" Limpar

Filtros



Refine with date range


  • Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Assunto: CARBONO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MIWA, Roberto Hiroki et al. Non Covalent n-type doping of graphene on 'SI'O2. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0109-1.pdf. Acesso em: 01 jun. 2024.
    • APA

      Miwa, R. H., Schmidt, T. M., Scopel, W. L., & Fazzio, A. (2011). Non Covalent n-type doping of graphene on 'SI'O2. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0109-1.pdf
    • NLM

      Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Non Covalent n-type doping of graphene on 'SI'O2 [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0109-1.pdf
    • Vancouver

      Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Non Covalent n-type doping of graphene on 'SI'O2 [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0109-1.pdf
  • Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antônio J.R. da e FAZZIO, Adalberto. Defects in amorphous hafnium silicate. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf. Acesso em: 01 jun. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Defects in amorphous hafnium silicate. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf
    • NLM

      Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Defects in amorphous hafnium silicate [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf
    • Vancouver

      Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Defects in amorphous hafnium silicate [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf. Acesso em: 01 jun. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2009). Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf
    • NLM

      Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf
    • Vancouver

      Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations. Physical Review B, v. 75, n. 19, p. 193203/1-193203/4, 2007Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 01 jun. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations. Physical Review B, 75( 19), 193203/1-193203/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
    • NLM

      Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 19): 193203/1-193203/4.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
    • Vancouver

      Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 19): 193203/1-193203/4.[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
  • Source: Livro de Resumos. Conference titles: Simpósio Brasileiro de Química Teórica, XII. Unidade: IF

    Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Structural and electronic properties of the amorphous 'HFO IND.2'. 2003, Anais.. Campinas: UNICAMP, 2003. . Acesso em: 01 jun. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Structural and electronic properties of the amorphous 'HFO IND.2'. In Livro de Resumos. Campinas: UNICAMP.
    • NLM

      Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Structural and electronic properties of the amorphous 'HFO IND.2'. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ]
    • Vancouver

      Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Structural and electronic properties of the amorphous 'HFO IND.2'. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 01 ]
  • Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ATÔMICA (QUÍMICA TEÓRICA), MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, FILMES FINOS

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCOPEL, Wanderlã Luis. Estudo das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de oxinitreto de silício depositado por PECVD. 2002. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 01 jun. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L. (2002). Estudo das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de oxinitreto de silício depositado por PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Scopel WL. Estudo das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de oxinitreto de silício depositado por PECVD. 2002 ;[citado 2024 jun. 01 ]
    • Vancouver

      Scopel WL. Estudo das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de oxinitreto de silício depositado por PECVD. 2002 ;[citado 2024 jun. 01 ]
  • Conference titles: First International Symposium on Non-Crystalline Solids in Brazil and Fifth Brazilian Symposium on Glass and Related Materials. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS, SILÍCIO

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      FANTINI, Márcia et al. Annealing effects on the properties of amorphous silicon based alloys. 2001, Anais.. Foz do Iguaçu: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 01 jun. 2024.
    • APA

      Fantini, M., D'Addio, T. F., Prado, R., & Scopel, W. L. (2001). Annealing effects on the properties of amorphous silicon based alloys. In . Foz do Iguaçu: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Fantini M, D'Addio TF, Prado R, Scopel WL. Annealing effects on the properties of amorphous silicon based alloys. 2001 ;[citado 2024 jun. 01 ]
    • Vancouver

      Fantini M, D'Addio TF, Prado R, Scopel WL. Annealing effects on the properties of amorphous silicon based alloys. 2001 ;[citado 2024 jun. 01 ]
  • Conference titles: Seminário Latino-americano de Análise por Técnicas de Raios-X. Unidade: IF

    Subjects: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROMETRIA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      FANTINI, Márcia et al. Combinação de espectroscopia de absorção de raios X com espectrometria. 2001, Anais.. São Pedro: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 01 jun. 2024.
    • APA

      Fantini, M., Prado, R., Scopel, W. L., & Tabacniks, M. (2001). Combinação de espectroscopia de absorção de raios X com espectrometria. In . São Pedro: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Fantini M, Prado R, Scopel WL, Tabacniks M. Combinação de espectroscopia de absorção de raios X com espectrometria. 2001 ;[citado 2024 jun. 01 ]
    • Vancouver

      Fantini M, Prado R, Scopel WL, Tabacniks M. Combinação de espectroscopia de absorção de raios X com espectrometria. 2001 ;[citado 2024 jun. 01 ]

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2024