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Trabalho de evento-resumo
Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots (2005)
Pagnossin, I R; Silva, E C F da; Quivy, A. A.; Martini, S; Sergio, C. S
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
PAGNOSSIN, I R et al. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Pagnossin, I. R., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Martini, S., & Sergio, C. S. (2005). Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
NLM
Pagnossin IR, Silva ECF da, Quivy AA, Martini S, Sergio CS. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
Vancouver
Pagnossin IR, Silva ECF da, Quivy AA, Martini S, Sergio CS. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells (2004)
Pagnossin, I. R; Silva, Emílio Carlos Nelli ; Quivy, A. A.; Martini, S; Sergio, C. S; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidades: EP, IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PAGNOSSIN, I. R et al. The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf. Acesso em: 01 jun. 2024.
APA
Pagnossin, I. R., Silva, E. C. N., Quivy, A. A., Martini, S., Sergio, C. S., & Leite, J. R. (2004). The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf
NLM
Pagnossin IR, Silva ECN, Quivy AA, Martini S, Sergio CS, Leite JR. The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf
Vancouver
Pagnossin IR, Silva ECN, Quivy AA, Martini S, Sergio CS, Leite JR. The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf

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