ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-resumo
Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers (2021)
Sandoval, Marcelo A. Toloza; Sipahi, Guilherme Matos ; Andrada e Silva, E. A.; Silva, A. Ferreira da
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANDOVAL, Marcelo A. Toloza et al. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. 2021, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2021. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf. Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Sipahi, G. M., Andrada e Silva, E. A., & Silva, A. F. da. (2021). Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
NLM
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Vancouver
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Artigo de periodico
Heavily n-doped Ge: Low-temperature magnetoresistance properties on the metallic side of the metal–nonmetal transition (2020)
Silva, A. Ferreira da ; Sandoval, M. A. Toloza ; Levine, A. ; Levinson, E.; Boudinov, H.; Sernelius, B. E.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), MAGNETOQUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, A. Ferreira da et al. Heavily n-doped Ge: Low-temperature magnetoresistance properties on the metallic side of the metal–nonmetal transition. Journal of Applied Physics, v. 127, n. 4, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5125882. Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Silva, A. F. da, Sandoval, M. A. T., Levine, A., Levinson, E., Boudinov, H., & Sernelius, B. E. (2020). Heavily n-doped Ge: Low-temperature magnetoresistance properties on the metallic side of the metal–nonmetal transition. Journal of Applied Physics, 127( 4). doi:10.1063/1.5125882
NLM
Silva AF da, Sandoval MAT, Levine A, Levinson E, Boudinov H, Sernelius BE. Heavily n-doped Ge: Low-temperature magnetoresistance properties on the metallic side of the metal–nonmetal transition [Internet]. Journal of Applied Physics. 2020 ; 127( 4):[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5125882
Vancouver
Silva AF da, Sandoval MAT, Levine A, Levinson E, Boudinov H, Sernelius BE. Heavily n-doped Ge: Low-temperature magnetoresistance properties on the metallic side of the metal–nonmetal transition [Internet]. Journal of Applied Physics. 2020 ; 127( 4):[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5125882
Artigo de periodico
Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si (2002)
Araujo, C. Moyses; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, I.; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Tabata, A.; Persson, C.; Ahuja, R.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1
NLM
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Vancouver
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Trabalho de evento
Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers: electric field effects (1994)
Hipólito, Oscar; Leão, Salviano A.; Silva, A. Ferreira da
Source: Materials Research Society Symposium Proceedings. Conference titles: MRS Fall Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HIPÓLITO, Oscar e LEÃO, Salviano A. e SILVA, A. Ferreira da. Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers: electric field effects. 1994, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society - MRS, 1994. Disponível em: https://doi.org/10.1557/PROC-325-183. Acesso em: 07 jun. 2024.
APA
Hipólito, O., Leão, S. A., & Silva, A. F. da. (1994). Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers: electric field effects. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 325). Pittsburgh: Materials Research Society - MRS. doi:10.1557/PROC-325-183
NLM
Hipólito O, Leão SA, Silva AF da. Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers: electric field effects [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1994 ; 325[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-325-183
Vancouver
Hipólito O, Leão SA, Silva AF da. Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers: electric field effects [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1994 ; 325[citado 2024 jun. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-325-183

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

Subjects

Non normalized affiliation