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Artigo de periodico
Localized-to-extended-states transition below the Fermi level (2018)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Localized-to-extended-states transition below the Fermi level. Physical Review B, v. 97, n. 18, p. 184203-1-184203-6, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.184203. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2018). Localized-to-extended-states transition below the Fermi level. Physical Review B, 97( 18), 184203-1-184203-6. doi:10.1103/PhysRevB.97.184203
NLM
Tito MA, Pusep YA. Localized-to-extended-states transition below the Fermi level [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 18): 184203-1-184203-6.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.184203
Vancouver
Tito MA, Pusep YA. Localized-to-extended-states transition below the Fermi level [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 18): 184203-1-184203-6.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.184203
Trabalho de evento-resumo
Transition from localized to extended states below the Fermi level in GaAs/AlGaAs multiple quantum well heterostructures (2018)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Transition from localized to extended states below the Fermi level in GaAs/AlGaAs multiple quantum well heterostructures. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2018. . Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2018). Transition from localized to extended states below the Fermi level in GaAs/AlGaAs multiple quantum well heterostructures. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Tito MA, Pusep YA. Transition from localized to extended states below the Fermi level in GaAs/AlGaAs multiple quantum well heterostructures. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 maio 29 ]
Vancouver
Tito MA, Pusep YA. Transition from localized to extended states below the Fermi level in GaAs/AlGaAs multiple quantum well heterostructures. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 maio 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Manipulation of emission energy in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with radial heterostructure (2018)
Pusep, Yuri A.; Tito, M. A.; Tavares, B. G. M.
Source: Abstract booklet. Conference titles: Nanowire Week. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. e TITO, M. A. e TAVARES, B. G. M. Manipulation of emission energy in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with radial heterostructure. 2018, Anais.. Ontario: McMaster University, 2018. . Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tito, M. A., & Tavares, B. G. M. (2018). Manipulation of emission energy in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with radial heterostructure. In Abstract booklet. Ontario: McMaster University.
NLM
Pusep YA, Tito MA, Tavares BGM. Manipulation of emission energy in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with radial heterostructure. Abstract booklet. 2018 ;[citado 2024 maio 29 ]
Vancouver
Pusep YA, Tito MA, Tavares BGM. Manipulation of emission energy in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with radial heterostructure. Abstract booklet. 2018 ;[citado 2024 maio 29 ]
Artigo de periodico
Dynamics of photogenerated carriers near magnetic field driven quantum phase transition in aperiodic multiple quantum wells (2018)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.
Source: Journal of Physics D. Unidade: IFSC
Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Dynamics of photogenerated carriers near magnetic field driven quantum phase transition in aperiodic multiple quantum wells. Journal of Physics D, v. 51, n. Ja 2018, p. 015304-1-015304-6, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa99cd. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2018). Dynamics of photogenerated carriers near magnetic field driven quantum phase transition in aperiodic multiple quantum wells. Journal of Physics D, 51( Ja 2018), 015304-1-015304-6. doi:10.1088/1361-6463/aa99cd
NLM
Tito MA, Pusep YA. Dynamics of photogenerated carriers near magnetic field driven quantum phase transition in aperiodic multiple quantum wells [Internet]. Journal of Physics D. 2018 ; 51( Ja 2018): 015304-1-015304-6.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa99cd
Vancouver
Tito MA, Pusep YA. Dynamics of photogenerated carriers near magnetic field driven quantum phase transition in aperiodic multiple quantum wells [Internet]. Journal of Physics D. 2018 ; 51( Ja 2018): 015304-1-015304-6.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa99cd
Trabalho de evento-resumo
Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition (2017)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, ELÉTRONS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017. . Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2017). Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 maio 29 ]
Vancouver
Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 maio 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells (2017)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Program. Conference titles: International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems - EP2DS. Unidade: IFSC
Subjects: ELÉTRONS (SISTEMAS), FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
TITO, M. A. et al. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. 2017, Anais.. State College: Pennsylvania State University, 2017. Disponível em: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2017). Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. In Program. State College: Pennsylvania State University. Recuperado de https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
Artigo de periodico
Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition (2017)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, ELÉTRONS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Superlattices and Microstructures, v. 104, p. 156-161, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2017). Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Superlattices and Microstructures, 104, 156-161. doi:10.1016/j.spmi.2016.12.060
NLM
Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 156-161.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060
Vancouver
Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 156-161.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060
Trabalho de evento-resumo
Radial heterostructured GaAs/AlGaAs nanowires (2017)
Tavares, B.; Tito, M. A.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Pusep, Yuri A.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAVARES, B. et al. Radial heterostructured GaAs/AlGaAs nanowires. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017. . Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tavares, B., Tito, M. A., Arakaki, H., Souza, C. A. de, & Pusep, Y. A. (2017). Radial heterostructured GaAs/AlGaAs nanowires. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Tavares B, Tito MA, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Radial heterostructured GaAs/AlGaAs nanowires. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 maio 29 ]
Vancouver
Tavares B, Tito MA, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Radial heterostructured GaAs/AlGaAs nanowires. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 maio 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells (2017)
Pusep, Yuri A.; Tito, M. A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: ELÉTRONS (SISTEMAS), FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tito, M. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2017). Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
NLM
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Vancouver
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Artigo de periodico
Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TITO, M. A. et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 9, p. 094301-1-094301-8, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4942854. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, 119( 9), 094301-1-094301-8. doi:10.1063/1.4942854
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Artigo de periodico
Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Pusep, Yuri A.; Tito, M. A.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. e TITO, M. A. e LAPIERRE, R. R. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 28, n. 17, p. 175602-1-175602-7, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tito, M. A., & LaPierre, R. R. (2016). Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, 28( 17), 175602-1-175602-7. doi:10.1088/0953-8984/28/17/175602
NLM
Pusep YA, Tito MA, LaPierre RR. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 17): 175602-1-175602-7.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602
Vancouver
Pusep YA, Tito MA, LaPierre RR. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 17): 175602-1-175602-7.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602
Artigo de periodico
Radial multiple quantum well GaAs/AlGaAs heterostructure formed in nanowires (2016)
Tito, M. A.; Tavares, B. G. M.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Pusep, Yuri A.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TITO, M. A. et al. Radial multiple quantum well GaAs/AlGaAs heterostructure formed in nanowires. Superlattices and Microstructures, v. 100, p. 918-923, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.10.048. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tito, M. A., Tavares, B. G. M., Arakaki, H., Souza, C. A. de, & Pusep, Y. A. (2016). Radial multiple quantum well GaAs/AlGaAs heterostructure formed in nanowires. Superlattices and Microstructures, 100, 918-923. doi:10.1016/j.spmi.2016.10.048
NLM
Tito MA, Tavares BGM, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Radial multiple quantum well GaAs/AlGaAs heterostructure formed in nanowires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2016 ; 100 918-923.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.10.048
Vancouver
Tito MA, Tavares BGM, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Radial multiple quantum well GaAs/AlGaAs heterostructure formed in nanowires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2016 ; 100 918-923.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.10.048
Trabalho de evento-resumo
Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? (2016)
Pusep, Yuri A.; Tito, M. A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? 2016, Anais.. Paris: Chimie ParisTech, 2016. Disponível em: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tito, M. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? In Book of Abstracts. Paris: Chimie ParisTech. Recuperado de http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
NLM
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
Vancouver
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
Trabalho de evento-resumo
Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers (2016)
Tavares, B. G. M.; Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAVARES, B. G. M. e TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tavares, B. G. M., Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2016). Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
NLM
Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Vancouver
Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Artigo de periodico
Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers (2016)
Tavares, B. G. M.; Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAVARES, B. G. M. e TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 23, p. 234305-1-234305-4, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4954161. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tavares, B. G. M., Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2016). Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, 119( 23), 234305-1-234305-4. doi:10.1063/1.4954161
NLM
Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161
Vancouver
Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161
Trabalho de evento-resumo
Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TITO, M. A. et al. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Artigo de periodico
Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices (2015)
Pusep, Yuri A.; Tavares, B. G. M.; Tito, M. A.; Santos, L. Fernandes dos; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 27, n. 24, p. 245601-1-245601-6, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/24/245601. Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tavares, B. G. M., Tito, M. A., Santos, L. F. dos, & LaPierre, R. R. (2015). Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices. Journal of Physics: Condensed Matter, 27( 24), 245601-1-245601-6. doi:10.1088/0953-8984/27/24/245601
NLM
Pusep YA, Tavares BGM, Tito MA, Santos LF dos, LaPierre RR. Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2015 ; 27( 24): 245601-1-245601-6.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/24/245601
Vancouver
Pusep YA, Tavares BGM, Tito MA, Santos LF dos, LaPierre RR. Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2015 ; 27( 24): 245601-1-245601-6.[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/24/245601
Trabalho de evento-resumo
Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices (2015)
Tavares, B. G. M.; Pusep, Yuri A.; Tito, M. A.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, EMISSÃO DA LUZ
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAVARES, B. G. M. e PUSEP, Yuri A. e TITO, M. A. Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices. 2015, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2015. . Acesso em: 29 maio 2024.
APA
Tavares, B. G. M., Pusep, Y. A., & Tito, M. A. (2015). Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Tavares BGM, Pusep YA, Tito MA. Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices. Livro de Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 29 ]
Vancouver
Tavares BGM, Pusep YA, Tito MA. Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices. Livro de Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 29 ]

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