Investigation of the real semiconductor laser structure by photoreflectance method (1997)
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TRENTIN, R. et al. Investigation of the real semiconductor laser structure by photoreflectance method. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 03 jun. 2024.APA
Trentin, R., Soares, J. A. N. de T., Enderlein, R., Leite, J. R., Belogorokhov, A. I., Belogorokhova, L. I., & Vdovin, V. (1997). Investigation of the real semiconductor laser structure by photoreflectance method. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.NLM
Trentin R, Soares JAN de T, Enderlein R, Leite JR, Belogorokhov AI, Belogorokhova LI, Vdovin V. Investigation of the real semiconductor laser structure by photoreflectance method. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jun. 03 ]Vancouver
Trentin R, Soares JAN de T, Enderlein R, Leite JR, Belogorokhov AI, Belogorokhova LI, Vdovin V. Investigation of the real semiconductor laser structure by photoreflectance method. Resumos. 1997 ;[citado 2024 jun. 03 ]