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Artigo de periodico
Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements (2019)
Bastos, Carlos M. O.; Besse, R.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Physical Review Materials. Unidades: IQSC, IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. Physical Review Materials, v. 3, n. 4, p. 044002-1-044002-10, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002. Acesso em: 16 abr. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Besse, R., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2019). Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. Physical Review Materials, 3( 4), 044002-1-044002-10. doi:10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
NLM
Bastos CMO, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Physical Review Materials. 2019 ; 3( 4): 044002-1-044002-10.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
Vancouver
Bastos CMO, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Physical Review Materials. 2019 ; 3( 4): 044002-1-044002-10.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
Trabalho de evento-resumo
Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies (2019)
Besse, Rafael; Bastos, Carlos M. O.; Sipahi, Guilherme Matos; Lima, Matheus P.; Guedes Sobrinho, Diego; Caturello, Naidel A. M. S.; Silva, Augusto C. H.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Programa. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IQSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BESSE, Rafael et al. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf. Acesso em: 16 abr. 2024.
APA
Besse, R., Bastos, C. M. O., Sipahi, G. M., Lima, M. P., Guedes Sobrinho, D., Caturello, N. A. M. S., et al. (2019). Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies. In Programa. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
NLM
Besse R, Bastos CMO, Sipahi GM, Lima MP, Guedes Sobrinho D, Caturello NAMS, Silva ACH, Silva JLF da. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
Vancouver
Besse R, Bastos CMO, Sipahi GM, Lima MP, Guedes Sobrinho D, Caturello NAMS, Silva ACH, Silva JLF da. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian (2019)
Bastos, Carlos M. O.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Programa. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IQSC, IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BASTOS, Carlos M. O. e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf. Acesso em: 16 abr. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2019). Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. In Programa. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
NLM
Bastos CMO, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
Vancouver
Bastos CMO, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
Artigo de periodico
Size-induced phase evolution of MoSe2 nanoflakes revealed by density functional theory (2018)
Besse, Rafael; Caturello, Naidel Antonio Moreira dos Santos; Bastos, Carlos M. O.; Guedes Sobrinho, Diego; Lima, Matheus P.; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Journal of Physical Chemistry C. Unidades: IQSC, IFSC
Assunto: FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
BESSE, Rafael et al. Size-induced phase evolution of MoSe2 nanoflakes revealed by density functional theory. Journal of Physical Chemistry C, v. 122, n. 35, p. 20483-20488, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b03254. Acesso em: 16 abr. 2024.
APA
Besse, R., Caturello, N. A. M. dos S., Bastos, C. M. O., Guedes Sobrinho, D., Lima, M. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2018). Size-induced phase evolution of MoSe2 nanoflakes revealed by density functional theory. Journal of Physical Chemistry C, 122( 35), 20483-20488. doi:10.1021/acs.jpcc.8b03254
NLM
Besse R, Caturello NAM dos S, Bastos CMO, Guedes Sobrinho D, Lima MP, Sipahi GM, Silva JLF da. Size-induced phase evolution of MoSe2 nanoflakes revealed by density functional theory [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2018 ; 122( 35): 20483-20488.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b03254
Vancouver
Besse R, Caturello NAM dos S, Bastos CMO, Guedes Sobrinho D, Lima MP, Sipahi GM, Silva JLF da. Size-induced phase evolution of MoSe2 nanoflakes revealed by density functional theory [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2018 ; 122( 35): 20483-20488.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b03254
Artigo de periodico
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory (2018)
Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IQSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 6, p. 065702-1-065702-13, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5018325. Acesso em: 16 abr. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2018). A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, 123( 6), 065702-1-065702-13. doi:10.1063/1.5018325
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Trabalho de evento-resumo
Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments (2017)
Sipahi, Guilherme Matos; Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Abstract Booklet. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidades: IFSC, IQSC
Assuntos: SPIN, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 16 abr. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., & Silva, J. L. F. da. (2017). Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
NLM
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Silva JLF da. Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Vancouver
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Silva JLF da. Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Artigo de periodico
Realistic multiband k · p approach from ab initio and spin-orbit coupling effects of InAs and InP in wurtzite phase (2016)
Faria Junior, Paulo E.; Campos, Tiago; Bastos, Carlos M. O.; Gmitra, Martin; Fabian, Jaroslav; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SPIN, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FARIA JUNIOR, Paulo E. et al. Realistic multiband k · p approach from ab initio and spin-orbit coupling effects of InAs and InP in wurtzite phase. Physical Review B, v. 93, n. 23, p. 235204-1-235204-14, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.93.235204. Acesso em: 16 abr. 2024.
APA
Faria Junior, P. E., Campos, T., Bastos, C. M. O., Gmitra, M., Fabian, J., & Sipahi, G. M. (2016). Realistic multiband k · p approach from ab initio and spin-orbit coupling effects of InAs and InP in wurtzite phase. Physical Review B, 93( 23), 235204-1-235204-14. doi:10.1103/PhysRevB.93.235204
NLM
Faria Junior PE, Campos T, Bastos CMO, Gmitra M, Fabian J, Sipahi GM. Realistic multiband k · p approach from ab initio and spin-orbit coupling effects of InAs and InP in wurtzite phase [Internet]. Physical Review B. 2016 ; 93( 23): 235204-1-235204-14.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.93.235204
Vancouver
Faria Junior PE, Campos T, Bastos CMO, Gmitra M, Fabian J, Sipahi GM. Realistic multiband k · p approach from ab initio and spin-orbit coupling effects of InAs and InP in wurtzite phase [Internet]. Physical Review B. 2016 ; 93( 23): 235204-1-235204-14.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.93.235204
Trabalho de evento-resumo periodico
Effective multiband Hamiltonian for InAs in wurtzite phase (2016)
Faria Junior, Paulo E.; Campos, Tiago; Bastos, Carlos M. O.; Sipahi, Guilherme Matos; Gmitra, Martin; Fabian, Jaroslav
Fonte: Bulletin of the American Physical Society. Nome do evento: APS March Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: SPIN, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FARIA JUNIOR, Paulo E. et al. Effective multiband Hamiltonian for InAs in wurtzite phase. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.G1.60. Acesso em: 16 abr. 2024. , 2016
APA
Faria Junior, P. E., Campos, T., Bastos, C. M. O., Sipahi, G. M., Gmitra, M., & Fabian, J. (2016). Effective multiband Hamiltonian for InAs in wurtzite phase. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.G1.60
NLM
Faria Junior PE, Campos T, Bastos CMO, Sipahi GM, Gmitra M, Fabian J. Effective multiband Hamiltonian for InAs in wurtzite phase [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2016 ; 61( 2):[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.G1.60
Vancouver
Faria Junior PE, Campos T, Bastos CMO, Sipahi GM, Gmitra M, Fabian J. Effective multiband Hamiltonian for InAs in wurtzite phase [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2016 ; 61( 2):[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.G1.60
Trabalho de evento-resumo periodico
k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations (2016)
Sipahi, Guilherme Matos; Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Faria Junior, Paulo E.; Campos, Tiago de; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Bulletin of the American Physical Society. Nome do evento: APS March Meeting. Unidades: IFSC, IQSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, BLENDAS, ZINCO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11. Acesso em: 16 abr. 2024. , 2016
APA
Sipahi, G. M., Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Faria Junior, P. E., Campos, T. de, & Silva, J. L. F. da. (2016). k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11
NLM
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T de, Silva JLF da. k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2016 ; 61( 2):[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11
Vancouver
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T de, Silva JLF da. k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2016 ; 61( 2):[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11
Artigo de periodico
Stability and accuracy control of k . p parameters (2016)
Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Faria Junior, Paulo E.; Campos, Tiago; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidades: IQSC, IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SPIN, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. Stability and accuracy control of k . p parameters. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 10, p. 105002-1-105002-10, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002. Acesso em: 16 abr. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Faria Junior, P. E., Campos, T., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2016). Stability and accuracy control of k . p parameters. Semiconductor Science and Technology, 31( 10), 105002-1-105002-10. doi:10.1088/0268-1242/31/10/105002
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Stability and accuracy control of k . p parameters [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 10): 105002-1-105002-10.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Stability and accuracy control of k . p parameters [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 10): 105002-1-105002-10.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002

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