Menu

Filtros : "EP" "SEMICONDUTORES" Removidos: "Indexado no Weed Abstracts" "MORITA, DIONE MARI" "Figueiredo, Antonio Domingues de" Limpar

Filtros

Limitar por data

1 - 20 (323 registros)

  • Trabalho de evento

    Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Canales, B. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • NLM

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • Vancouver

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

  • Trabalho de evento

    Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

  • Artigo de periodico

    MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy et al. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Canales, B. G., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, 38( 11), 1-6. doi:10.1088/1361-6641/acfa1f

    • NLM

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

    • Vancouver

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

  • Trabalho de evento

    Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator (2022)

    Silva, Wenita de Lima; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Fonte: SBMICRO: proceedings. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTABILIDADE, CIRCUITOS ANALÓGICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Wenita de Lima e AGOPIAN, Paula Ghedini Der e MARTINO, João Antonio. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator. 2022, Anais.. [s.L.]: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Silva, W. de L., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2022). Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator. In SBMICRO: proceedings. [s.L.]: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041

    • NLM

      Silva W de L, Agopian PGD, Martino JA. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO: proceedings. 2022 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041

    • Vancouver

      Silva W de L, Agopian PGD, Martino JA. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO: proceedings. 2022 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)

    Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • NLM

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • Vancouver

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

  • Artigo de periodico

    Interfacial segregation in Cl−-doped nano-ZnO polycrystalline semiconductors and its effect on electrical properties (2021)

    Fortes, Gustavo M. ; Silva, André Luiz da ; Caliman, Lorena Batista ; Fonseca, Fabio Coral ; Gouvêa, Douglas

    Fonte: Ceramics International. Unidade: EP

    Assuntos: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FORTES, Gustavo M. et al. Interfacial segregation in Cl−-doped nano-ZnO polycrystalline semiconductors and its effect on electrical properties. Ceramics International, v. 47, n. 17, p. Se 2021, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2021.05.212. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Fortes, G. M., Silva, A. L. da, Caliman, L. B., Fonseca, F. C., & Gouvêa, D. (2021). Interfacial segregation in Cl−-doped nano-ZnO polycrystalline semiconductors and its effect on electrical properties. Ceramics International, 47( 17), Se 2021. doi:10.1016/j.ceramint.2021.05.212

    • NLM

      Fortes GM, Silva AL da, Caliman LB, Fonseca FC, Gouvêa D. Interfacial segregation in Cl−-doped nano-ZnO polycrystalline semiconductors and its effect on electrical properties [Internet]. Ceramics International. 2021 ; 47( 17): Se 2021.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2021.05.212

    • Vancouver

      Fortes GM, Silva AL da, Caliman LB, Fonseca FC, Gouvêa D. Interfacial segregation in Cl−-doped nano-ZnO polycrystalline semiconductors and its effect on electrical properties [Internet]. Ceramics International. 2021 ; 47( 17): Se 2021.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2021.05.212

  • Tese (Doutorado)

    Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (2021)

    Eirez Izquierdo, José Enrique ; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)

    Unidade: EP

    Assuntos: NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      EIREZ IZQUIERDO, José Enrique. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Eirez Izquierdo, J. E. (2021). Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

    • NLM

      Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

    • Vancouver

      Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

  • Artigo de periodico

    Silver enhances hematite nanoparticles based ethanol sensor response and selectivity at room temperature (2021)

    Osorio, Daniel Garcia ; Hidalgo Falla, Maria del Pilar ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Gonçalves, Josué Martins ; Araki, Koiti ; Segura, Sergio Garcia ; Picasso, Gino

    Fonte: Sensors. Unidades: EP, IQ

    Assuntos: PRATA, ETANOL, NANOPARTÍCULAS, HEMATITA, COMPOSTOS ORGÂNICOS, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OSORIO, Daniel Garcia et al. Silver enhances hematite nanoparticles based ethanol sensor response and selectivity at room temperature. Sensors, v. 21, p. 1-13 art. 440 : + Supplementary materials ( S1-S3), 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/s21020440. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Osorio, D. G., Hidalgo Falla, M. del P., Peres, H. E. M., Gonçalves, J. M., Araki, K., Segura, S. G., & Picasso, G. (2021). Silver enhances hematite nanoparticles based ethanol sensor response and selectivity at room temperature. Sensors, 21, 1-13 art. 440 : + Supplementary materials ( S1-S3). doi:10.3390/s21020440

    • NLM

      Osorio DG, Hidalgo Falla M del P, Peres HEM, Gonçalves JM, Araki K, Segura SG, Picasso G. Silver enhances hematite nanoparticles based ethanol sensor response and selectivity at room temperature [Internet]. Sensors. 2021 ; 21 1-13 art. 440 : + Supplementary materials ( S1-S3).[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s21020440

    • Vancouver

      Osorio DG, Hidalgo Falla M del P, Peres HEM, Gonçalves JM, Araki K, Segura SG, Picasso G. Silver enhances hematite nanoparticles based ethanol sensor response and selectivity at room temperature [Internet]. Sensors. 2021 ; 21 1-13 art. 440 : + Supplementary materials ( S1-S3).[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s21020440

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)

    Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)

    Unidade: EP

    Assuntos: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • NLM

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • Vancouver

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

  • Relatorio tecnico

    Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters (2020)

    Mamani, Rolando Larico; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco

    Unidades: IF, EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MAMANI, Rolando Larico et al. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024. , 2020

    • APA

      Mamani, R. L., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2020). Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf

    • NLM

      Mamani RL, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf

    • Vancouver

      Mamani RL, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf

  • Artigo de periodico

    Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak (2020)

    Santos, A. O.; Komatsu, Wilson ; Canal, Gustavo Paganini ; Severo, Jose Helder F. ; Sá, W. P. de; Kassab Junior, Fuad ; Ferreira, J. G.; Andrade, M. C. R. de; Piqueira, José Roberto Castilho ; Nascimento, Ivan Cunha ; Galvão, R. M. O.

    Fonte: Fusion Engineering and Design. Unidades: EP, IF

    Assuntos: FÍSICA DE PLASMAS, FUSÃO NUCLEAR, TOKAMAKS, ELETRÔNICA DE POTÊNCIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, BOBINAS ELÉTRICAS, PLASMA (MICROELETRÔNICA)

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, A. O. et al. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, v. 159, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Santos, A. O., Komatsu, W., Canal, G. P., Severo, J. H. F., Sá, W. P. de, Kassab Junior, F., et al. (2020). Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, 159. doi:10.1016/j.fusengdes.2020.111698

    • NLM

      Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698

    • Vancouver

      Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698

  • Artigo de periodico

    Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors (2020)

    García, Dennis Cabrera; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Cavallari, Marco Roberto ; Quivy, Alain André; Fonseca, Fernando Josepetti

    Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP

    Assuntos: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170

    • NLM

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170

    • Vancouver

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170

  • Dissertação (Mestrado)

    Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm (2019)

    Gamero Sobero, Vanessa Julia; Alayo Chávez, Marco Isaías (Orientador) ; Rehder, Gustavo Pamplona (coorient)

    Unidade: EP

    Assuntos: DISPOSITIVOS ÓPTICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GAMERO SOBERO, Vanessa Julia. Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Gamero Sobero, V. J. (2019). Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/

    • NLM

      Gamero Sobero VJ. Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm [Internet]. 2019 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/

    • Vancouver

      Gamero Sobero VJ. Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm [Internet]. 2019 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/

  • Dissertação (Mestrado)

    Sistemas poliméricos semicondutores para aplicação como camada ativa em LED (2019)

    Oide, Mariane Yuka Tsubaki ; Wang, Shu Hui (Orientador)

    Unidade: EP

    Assuntos: POLÍMEROS (MATERIAIS), SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, ÓPTICA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OIDE, Mariane Yuka Tsubaki. Sistemas poliméricos semicondutores para aplicação como camada ativa em LED. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-15042019-081229/. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Oide, M. Y. T. (2019). Sistemas poliméricos semicondutores para aplicação como camada ativa em LED (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-15042019-081229/

    • NLM

      Oide MYT. Sistemas poliméricos semicondutores para aplicação como camada ativa em LED [Internet]. 2019 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-15042019-081229/

    • Vancouver

      Oide MYT. Sistemas poliméricos semicondutores para aplicação como camada ativa em LED [Internet]. 2019 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-15042019-081229/

  • Artigo de periodico

    Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures (2018)

    Martino, Márcio Dalla Valle; Claeys, Cor ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Martino, João Antonio

    Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 7, p. 075012, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Martino, M. D. V., Claeys, C., Agopian, P. G. D., Rooyackers, R., Simoen, E., & Martino, J. A. (2018). Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, 33( 7), 075012. doi:10.1088/1361-6641/aac4fd

    • NLM

      Martino MDV, Claeys C, Agopian PGD, Rooyackers R, Simoen E, Martino JA. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 7): 075012.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd

    • Vancouver

      Martino MDV, Claeys C, Agopian PGD, Rooyackers R, Simoen E, Martino JA. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 7): 075012.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd

  • Artigo de periodico

    Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K (2018)

    Caparroz, Luís Felipe Vicentis; Agopian, Paula Ghedini Der ; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Martino, João Antonio

    Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidades: EP, EACH

    Assuntos: TEMPERATURA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAPARROZ, Luís Felipe Vicentis et al. Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 6, p. 065003, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aabab3. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Caparroz, L. F. V., Agopian, P. G. D., Claeys, C., Simoen, E., Bordallo, C. C. M., & Martino, J. A. (2018). Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K. Semiconductor Science and Technology, 33( 6), 065003. doi:10.1088/1361-6641/aabab3

    • NLM

      Caparroz LFV, Agopian PGD, Claeys C, Simoen E, Bordallo CCM, Martino JA. Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 6): 065003.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aabab3

    • Vancouver

      Caparroz LFV, Agopian PGD, Claeys C, Simoen E, Bordallo CCM, Martino JA. Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 6): 065003.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aabab3

  • Artigo de periodico

    The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs (2018)

    Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Mocuta, Dan; Collaert, Nadine ; Alian, A; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Van Dooren, A; Verhulst, Anne S; Lin, D

    Fonte: Composants nanoélectroniques. Unidade: EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs. Composants nanoélectroniques, v. 18, n. 1, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.21494/iste.op.2018.0224. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Bordallo, C. C. M., Mocuta, D., Collaert, N., Alian, A., Simoen, E., Claeys, C., et al. (2018). The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs. Composants nanoélectroniques, 18( 1). doi:10.21494/iste.op.2018.0224

    • NLM

      Bordallo CCM, Mocuta D, Collaert N, Alian A, Simoen E, Claeys C, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Mols Y, Van Dooren A, Verhulst AS, Lin D. The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs [Internet]. Composants nanoélectroniques. 2018 ;18( 1):[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.21494/iste.op.2018.0224

    • Vancouver

      Bordallo CCM, Mocuta D, Collaert N, Alian A, Simoen E, Claeys C, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Mols Y, Van Dooren A, Verhulst AS, Lin D. The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs [Internet]. Composants nanoélectroniques. 2018 ;18( 1):[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.21494/iste.op.2018.0224

  • Artigo de periodico

    Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies (2017)

    Itocazu, Vitor Tatsuo ; Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor

    Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 82-88, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2017). Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 82-88. doi:10.29292/jics.v12i2.455

    • NLM

      Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455

    • Vancouver

      Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)

    Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

    • NLM

      Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

    • Vancouver

      Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

  • Artigo de periodico

    Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures (2017)

    Martino, Márcio Dalla Valle; Claeys, Cor ; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Vandooren, A; Martino, João Antonio

    Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 32, n. 5, p. 055015, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Martino, M. D. V., Claeys, C., Rooyackers, R., Simoen, E., Agopian, P. G. D., Vandooren, A., & Martino, J. A. (2017). Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, 32( 5), 055015. doi:10.1088/1361-6641/aa6764

    • NLM

      Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764

    • Vancouver

      Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764

1 - 20 (323 registros)

Biblioteca Digital de Produção Intelectual da Universidade de São Paulo     2012 - 2024