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  • Relatorio tecnico

    Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations (2011)

    Almeida, J M de; Rocha, A R; Silva, Antonio J R da; Fazzio, A

    Unidades: IF, IEB

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALMEIDA, J M de et al. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024. , 2011

    • APA

      Almeida, J. M. de, Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf

    • NLM

      Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations [Internet]. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf

    • Vancouver

      Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations [Internet]. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf

  • Relatorio tecnico

    Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation (2011)

    Padilha, J E; Lima, Matheus P; Silva, Antonio J R da; Fazzio, A

    Unidades: IF, IEB

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PADILHA, J E et al. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024. , 2011

    • APA

      Padilha, J. E., Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf

    • NLM

      Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation [Internet]. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf

    • Vancouver

      Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation [Internet]. 2011 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf
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