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  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF

    Assuntos: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES

    Disponível em 20/03/2025Acesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:https://doi.org/10.1063/5.0187962
    • NLM

      Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
    • Vancouver

      Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
  • Fonte: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF

    Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      PUSEP, Yuri et al. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, v. 109, n. 7, p. 075429-1-075429-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429. Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Pusep, Y., Teodoro, M. D., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Gusev, G., & Bakarov, A. (2024). Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, 109( 7), 075429-1-075429-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.075429
    • NLM

      Pusep Y, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
    • Vancouver

      Pusep Y, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
  • Fonte: Physical Review B. Unidades: IF, IFSC

    Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel. Physical Review B, v. 109, n. 12, p. L121401-1-214303-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401. Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G., Bakarov, A., & Pusep, Y. (2024). Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel. Physical Review B, 109( 12), L121401-1-214303-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.L121401
    • NLM

      Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep Y. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 12): L121401-1-214303-6.[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401
    • Vancouver

      Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep Y. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 12): L121401-1-214303-6.[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401
  • Unidades: IF, IFSC

    Assuntos: FÍSICA ATÔMICA, ESTATÍSTICA COMPUTACIONAL, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FÍSICA MODERNA

    Como citar
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    • ABNT

      Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. . São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. . Acesso em: 29 mar. 2024. , 2024
    • APA

      Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. (2024). Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
    • NLM

      Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. 2024 ;[citado 2024 mar. 29 ]
    • Vancouver

      Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. 2024 ;[citado 2024 mar. 29 ]
  • Unidades: IF, IFSC

    Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA

    Como citar
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    • ABNT

      MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 29 mar. 2024. , 2022
    • APA

      Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
    • NLM

      Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 mar. 29 ]
    • Vancouver

      Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 mar. 29 ]
  • Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF

    Assuntos: TOMOGRAFIA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      SANTOS, Thales Borrely dos et al. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039. Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Santos, T. B. dos, Huang, T. -Y., Yang, Y. -C., Goldman, R. S., & Quivy, A. A. (2022). On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
    • NLM

      Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
    • Vancouver

      Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
  • Fonte: Microelectronics Reliability. Unidade: IF

    Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, ÍONS PESADOS, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ALBERTON, S. G. et al. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, v. 137, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784. Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Alberton, S. G., Aguiar, V., Medina, N. H., Added, N., Macchione, E. L. A., Menegasso, R., et al. (2022). Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, 137. doi:10.1016/j.microrel.2022.114784
    • NLM

      Alberton SG, Aguiar V, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784
    • Vancouver

      Alberton SG, Aguiar V, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784
  • Fonte: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      DARRIBA, G N et al. Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides. Physical Review B, v. 105, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195201. Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Darriba, G. N., Muñoz, E. L., Richard, D., Ayala, A. P., Carbonari, A. W., Petrilli, H. M., & Renteria, M. (2022). Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides. Physical Review B, 105. doi:10.1103/PhysRevB.105.195201
    • NLM

      Darriba GN, Muñoz EL, Richard D, Ayala AP, Carbonari AW, Petrilli HM, Renteria M. Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides [Internet]. Physical Review B. 2022 ; 105[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195201
    • Vancouver

      Darriba GN, Muñoz EL, Richard D, Ayala AP, Carbonari AW, Petrilli HM, Renteria M. Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides [Internet]. Physical Review B. 2022 ; 105[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195201
  • Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, PARAMAGNETISMO

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      RIBEIRO, Cauê Kaufmann et al. Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf. Acesso em: 29 mar. 2024. , 2022
    • APA

      Ribeiro, C. K., Mello, L. A. de, Cornejo, D. R., Silva Neto, M. B., Fogh, E., Rønnow, H. M., et al. (2022). Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf
    • NLM

      Ribeiro CK, Mello LA de, Cornejo DR, Silva Neto MB, Fogh E, Rønnow HM, Martelli V, Jimenez JAL. Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3' [Internet]. 2022 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf
    • Vancouver

      Ribeiro CK, Mello LA de, Cornejo DR, Silva Neto MB, Fogh E, Rønnow HM, Martelli V, Jimenez JAL. Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3' [Internet]. 2022 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf
  • Fonte: Physical Review Materials. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      BONACCI, Miki et al. Excitonic effects in graphene-like C3N. Physical Review Materials, v. 6, n. 3, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.034009. Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Bonacci, M., Zanfrognini, M., Molinari, E., Ruini, A., Caldas Marilia Junqueira,, Ferretti, A., & Varsano, D. (2022). Excitonic effects in graphene-like C3N. Physical Review Materials, 6( 3). doi:10.1103/PhysRevMaterials.6.034009
    • NLM

      Bonacci M, Zanfrognini M, Molinari E, Ruini A, Caldas Marilia Junqueira, Ferretti A, Varsano D. Excitonic effects in graphene-like C3N [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6( 3):[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.034009
    • Vancouver

      Bonacci M, Zanfrognini M, Molinari E, Ruini A, Caldas Marilia Junqueira, Ferretti A, Varsano D. Excitonic effects in graphene-like C3N [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6( 3):[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.034009
  • Fonte: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN

    Assuntos: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
    • NLM

      Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
    • Vancouver

      Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
  • Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf. Acesso em: 29 mar. 2024. , 2020
    • APA

      Silva, A. J. R. da, Santos, R. R. dos, Oliveira, L. E., & Fazzio, A. (2020). Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
    • NLM

      Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
    • Vancouver

      Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
  • Unidade: IF

    Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. . Melville: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf. Acesso em: 29 mar. 2024. , 2020
    • APA

      Morelhão, S. L., Kycia, S., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2020). Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Melville: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
    • NLM

      Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
    • Vancouver

      Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
  • Unidades: IF, EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MAMANI, Rolando Larico et al. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf. Acesso em: 29 mar. 2024. , 2020
    • APA

      Mamani, R. L., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2020). Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf
    • NLM

      Mamani RL, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf
    • Vancouver

      Mamani RL, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf
  • Fonte: Fusion Engineering and Design. Unidades: EP, IF

    Assuntos: FÍSICA DE PLASMAS, FUSÃO NUCLEAR, TOKAMAKS, ELETRÔNICA DE POTÊNCIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, BOBINAS ELÉTRICAS, PLASMA (MICROELETRÔNICA)

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SANTOS, A. O. et al. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, v. 159, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698. Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Santos, A. O., Komatsu, W., Canal, G. P., Severo, J. H. F., Sá, W. P. de, Kassab Junior, F., et al. (2020). Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, 159. doi:10.1016/j.fusengdes.2020.111698
    • NLM

      Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698
    • Vancouver

      Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698
  • Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP

    Assuntos: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170
    • NLM

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
    • Vancouver

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
  • Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      SILVA, Antonio Jose Roque da e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf. Acesso em: 29 mar. 2024. , 2020
    • APA

      Silva, A. J. R. da, Antonelli, A., & Fazzio, A. (2020). A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
    • NLM

      Silva AJR da, Antonelli A, Fazzio A. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
    • Vancouver

      Silva AJR da, Antonelli A, Fazzio A. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
  • Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO

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    • ABNT

      DALPIAN, Gustavo M. et al. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf. Acesso em: 29 mar. 2024. , 2020
    • APA

      Dalpian, G. M., Wei, S. -H., Gong, X. G., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Band structure model of magnetic coupling in semiconductors. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
    • NLM

      Dalpian GM, Wei S-H, Gong XG, Fazzio A, Silva AJR da. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
    • Vancouver

      Dalpian GM, Wei S-H, Gong XG, Fazzio A, Silva AJR da. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
  • Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      SCOPEL, W. L. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Comparative study of defect energetics in 'HF' IND. 2' and 'SI' IND. 2'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310747.pdf. Acesso em: 29 mar. 2024. , 2020
    • APA

      Scopel, W. L., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Comparative study of defect energetics in 'HF' IND. 2' and 'SI' IND. 2'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310747.pdf
    • NLM

      Scopel WL, Fazzio A, Silva AJR da. Comparative study of defect energetics in 'HF' IND. 2' and 'SI' IND. 2' [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310747.pdf
    • Vancouver

      Scopel WL, Fazzio A, Silva AJR da. Comparative study of defect energetics in 'HF' IND. 2' and 'SI' IND. 2' [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310747.pdf
  • Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      W. ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in 'SI''O IND. 2'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0311634.pdf. Acesso em: 29 mar. 2024. , 2020
    • APA

      W. Orellana, W., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in 'SI''O IND. 2'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0311634.pdf
    • NLM

      W. Orellana W, Fazzio A, Silva AJR da. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in 'SI''O IND. 2' [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0311634.pdf
    • Vancouver

      W. Orellana W, Fazzio A, Silva AJR da. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in 'SI''O IND. 2' [Internet]. 2020 ;[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0311634.pdf

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