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Trabalho de evento-resumo
ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study (2002)
Morbec, F M O; Miwa, Roberto Hiroki; Miotto, R.; Ferraz, A. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MORBEC, F M O et al. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Morbec, F. M. O., Miwa, R. H., Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study (2002)
Ferraz, A. C.; Miotto, R.
Source: Vacuum. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, VÁCUO
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ABNT
FERRAZ, A. C. e MIOTTO, R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, v. 67, n. 1, p. 31-35, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, 67( 1), 31-35. doi:10.1016/s0042-207x(02)00184-7
NLM
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7
Vancouver
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7
Artigo de periodico
Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) (2002)
Miotto, R; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
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ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, v. 81, n. 3, p. 481-483, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1494456. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, 81( 3), 481-483. doi:10.1063/1.1494456
NLM
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1494456
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1494456
Artigo de periodico
Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition (1999)
Miwa, R. H.; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MIWA, R. H. e FERRAZ, A. C. Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition. Physical Review B, v. 59, n. 19, p. 12499-12504, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.12499. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1999). Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition. Physical Review B, 59( 19), 12499-12504. doi:10.1103/physrevb.59.12499
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 19): 12499-12504.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.12499
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Tuning band offsets at the AlAs/GaAs interface by group-IV intralayer deposition [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 19): 12499-12504.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.12499
Artigo de periodico
Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis (2006)
Miotto, R; Cunha, J F R; Silva, S W da; Soler, Maria Aparecida Godoy ; Morais, P C; Ferraz, A. C.; Tada, Dayane B; Petri, Denise Freitas Siqueira ; Baptista, Maurício da Silva
Source: Applied Surface Science. Unidades: IF, IQ
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
MIOTTO, R et al. Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis. Applied Surface Science, v. 253, n. 4, p. 1978-1982, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Miotto, R., Cunha, J. F. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Ferraz, A. C., et al. (2006). Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis. Applied Surface Science, 253( 4), 1978-1982. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf
NLM
Miotto R, Cunha JFR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Ferraz AC, Tada DB, Petri DFS, Baptista M da S. Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis [Internet]. Applied Surface Science. 2006 ; 253( 4): 1978-1982.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf
Vancouver
Miotto R, Cunha JFR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Ferraz AC, Tada DB, Petri DFS, Baptista M da S. Thionin adsorption on silicon (100): structural analysis [Internet]. Applied Surface Science. 2006 ; 253( 4): 1978-1982.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6THY-4JVSV81-8-21&_cdi=5295&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=12%2F15%2F2006&_sk=997469995&view=c&wchp=dGLbVlb-zSkzV&md5=acc94b55ddd7242377aad57aa86d3b8d&ie=/sdarticle.pdf
Artigo de periodico
Theoretical study of the stability and electronic properties of a '(GaAs/Te/InAs)' interface (1998)
Miwa, R H; Ferraz, A. C.
Source: Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e FERRAZ, A. C. Theoretical study of the stability and electronic properties of a '(GaAs/Te/InAs)' interface. Journal of Physics, v. 10, p. 5739-5748, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/10/26/003. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1998). Theoretical study of the stability and electronic properties of a '(GaAs/Te/InAs)' interface. Journal of Physics, 10, 5739-5748. doi:10.1088/0953-8984/10/26/003
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of the stability and electronic properties of a '(GaAs/Te/InAs)' interface [Internet]. Journal of Physics. 1998 ; 10 5739-5748.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/10/26/003
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of the stability and electronic properties of a '(GaAs/Te/InAs)' interface [Internet]. Journal of Physics. 1998 ; 10 5739-5748.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/10/26/003
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces (1999)
Miwa, R. H.; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R. H. e FERRAZ, A. C. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947. Acesso em: 23 abr. 2024. , 1999
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1999). Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 814-816.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 814-816.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Artigo de periodico
Theoretical studies of the initial stages of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) (2000)
Miotto, R.; Srivastava, G P; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G P e FERRAZ, A. C. Theoretical studies of the initial stages of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Physical Review B, v. 62, n. 20, p. 13623-13630, 2000Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000020013623000001&idtype=cvips. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (2000). Theoretical studies of the initial stages of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Physical Review B, 62( 20), 13623-13630. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000020013623000001&idtype=cvips
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Theoretical studies of the initial stages of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 20): 13623-13630.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000020013623000001&idtype=cvips
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Theoretical studies of the initial stages of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 20): 13623-13630.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000020013623000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices (1988)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. 1988, Anais.. Sisngapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1988). Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. In Proceedings. Sisngapore: World Scientific.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical calculations for Si(111)-(2X1)Cl (2002)
Casagrande, Douglas; Ferraz, A. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASAGRANDE, Douglas e FERRAZ, A. C. Theoretical calculations for Si(111)-(2X1)Cl. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Casagrande, D., & Ferraz, A. C. (2002). Theoretical calculations for Si(111)-(2X1)Cl. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Casagrande D, Ferraz AC. Theoretical calculations for Si(111)-(2X1)Cl. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Casagrande D, Ferraz AC. Theoretical calculations for Si(111)-(2X1)Cl. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Theoretical calculations for Si(001)-(2x1)Cl (1998)
Casagrande, Douglas; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASAGRANDE, Douglas e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. Theoretical calculations for Si(001)-(2x1)Cl. Surface Science, v. 404, n. 1-3, p. 653-657, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(97)00929-1. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Casagrande, D., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1998). Theoretical calculations for Si(001)-(2x1)Cl. Surface Science, 404( 1-3), 653-657. doi:10.1016/s0039-6028(97)00929-1
NLM
Casagrande D, Srivastava GP, Ferraz AC. Theoretical calculations for Si(001)-(2x1)Cl [Internet]. Surface Science. 1998 ; 404( 1-3): 653-657.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(97)00929-1
Vancouver
Casagrande D, Srivastava GP, Ferraz AC. Theoretical calculations for Si(001)-(2x1)Cl [Internet]. Surface Science. 1998 ; 404( 1-3): 653-657.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(97)00929-1
Artigo de periodico
The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs (1999)
Miotto, R.; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs. Surface Science, v. 435, p. 377-381, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1999). The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs. Surface Science, 435, 377-381. doi:10.1016/s0039-6028(99)00109-0
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs [Internet]. Surface Science. 1999 ; 435 377-381.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs [Internet]. Surface Science. 1999 ; 435 377-381.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0
Artigo de periodico
The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations (2009)
Miotto, R; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations. Surface Science, v. 603, n. 9, p. 1229-1235, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2009.03.008. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2009). The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations. Surface Science, 603( 9), 1229-1235. doi:10.1016/j.susc.2009.03.008
NLM
Miotto R, Ferraz AC. The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations [Internet]. Surface Science. 2009 ; 603( 9): 1229-1235.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2009.03.008
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations [Internet]. Surface Science. 2009 ; 603( 9): 1229-1235.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2009.03.008
Artigo de periodico
The oxidation mechanism of CdTe (110) surface (2006)
Kiss, Ferenc Diniz; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KISS, Ferenc Diniz e FERRAZ, A. C. The oxidation mechanism of CdTe (110) surface. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 291-203, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300015. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Kiss, F. D., & Ferraz, A. C. (2006). The oxidation mechanism of CdTe (110) surface. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 291-203. doi:10.1590/s0103-97332006000300015
NLM
Kiss FD, Ferraz AC. The oxidation mechanism of CdTe (110) surface [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 291-203.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300015
Vancouver
Kiss FD, Ferraz AC. The oxidation mechanism of CdTe (110) surface [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 291-203.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300015
Dissertação (Mestrado)
Teoria hidrodinâmica relativística invariante de escala com uma geometria arbitrariamente simétrica em (3+1)D (2004)
Paim, Sérgio Soares da Silva; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: TEORIA DE CAMPOS, FÍSICA DE PARTÍCULAS, SIMETRIA (FÍSICA DE PARTÍCULAS), RELATIVIDADE (FÍSICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIM, Sérgio Soares da Silva. Teoria hidrodinâmica relativística invariante de escala com uma geometria arbitrariamente simétrica em (3+1)D. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Paim, S. S. da S. (2004). Teoria hidrodinâmica relativística invariante de escala com uma geometria arbitrariamente simétrica em (3+1)D (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Paim SS da S. Teoria hidrodinâmica relativística invariante de escala com uma geometria arbitrariamente simétrica em (3+1)D. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Paim SS da S. Teoria hidrodinâmica relativística invariante de escala com uma geometria arbitrariamente simétrica em (3+1)D. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) (1999)
Silva, R. Claudino da; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, INTERFACE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, R. Claudino da e FERRAZ, A. C. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001). Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 823-827, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Silva, R. C. da, & Ferraz, A. C. (1999). Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001). Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 823-827. doi:10.1590/s0103-97331999000400045
NLM
Silva RC da, Ferraz AC. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 823-827.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045
Vancouver
Silva RC da, Ferraz AC. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 823-827.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045
Artigo de periodico
Surface properties of CdS nanoparticles (2006)
Favero, Paulo Roberto; Souza-Parise, M de; Fernandez, J R L; Miotto, R; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
FAVERO, Paulo Roberto et al. Surface properties of CdS nanoparticles. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3B, p. 1032-1034, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600062. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Favero, P. R., Souza-Parise, M. de, Fernandez, J. R. L., Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2006). Surface properties of CdS nanoparticles. Brazilian Journal of Physics, 36( 3B), 1032-1034. doi:10.1590/s0103-97332006000600062
NLM
Favero PR, Souza-Parise M de, Fernandez JRL, Miotto R, Ferraz AC. Surface properties of CdS nanoparticles [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 1032-1034.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600062
Vancouver
Favero PR, Souza-Parise M de, Fernandez JRL, Miotto R, Ferraz AC. Surface properties of CdS nanoparticles [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 1032-1034.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600062
Artigo de periodico
Surface electronic properties of 'ZN's, 'ZN''SE' and 'ZN''TE' (110) (1994)
Ferraz, A. C.; Watari, K.; Alves, J L A
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERRAZ, A. C. e WATARI, K. e ALVES, J L A. Surface electronic properties of 'ZN's, 'ZN''SE' and 'ZN''TE' (110). Surface Science, v. 307-9, p. 959-62, 1994Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Ferraz, A. C., Watari, K., & Alves, J. L. A. (1994). Surface electronic properties of 'ZN's, 'ZN''SE' and 'ZN''TE' (110). Surface Science, 307-9, 959-62.
NLM
Ferraz AC, Watari K, Alves JLA. Surface electronic properties of 'ZN's, 'ZN''SE' and 'ZN''TE' (110). Surface Science. 1994 ;307-9 959-62.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Ferraz AC, Watari K, Alves JLA. Surface electronic properties of 'ZN's, 'ZN''SE' and 'ZN''TE' (110). Surface Science. 1994 ;307-9 959-62.[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Superficie de semicondutores (1987)
Ferraz, A. C.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
FERRAZ, A. C. Superficie de semicondutores. 1987, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1987. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Ferraz, A. C. (1987). Superficie de semicondutores. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Ferraz AC. Superficie de semicondutores. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Ferraz AC. Superficie de semicondutores. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) (2000)
Miotto, R.; Srivastava, G P; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G P e FERRAZ, A. C. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Applied Physics Letters, v. 76, n. 25, p. 3735-3737, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.126766. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (2000). Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Applied Physics Letters, 76( 25), 3735-3737. doi:10.1063/1.126766
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 25): 3735-3737.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.126766
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 25): 3735-3737.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.126766

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