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Curadoria
Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat, 4 (2005)
Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (cur); Sipahi, Guilherme Matos (cur); Gusev, Gennady (cur); d' Eurydice, Marcel Nogueira (cur); Marin, Ivan Silvestre Paganini (cur); Andrade, Felipe Brunelli de (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat, 4. . [s.l.]: [s.n.]. . Acesso em: 09 maio 2024. , 2005
APA
Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat, 4. (2005). Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat, 4. [s.l.]: [s.n.].
NLM
Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat, 4. 2005 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat, 4. 2005 ;[citado 2024 maio 09 ]
Artigo de periodico-carta/editorial
Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] (2005)
Silva Junior, E. F. da; Henini, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Microelectronics Journal. Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
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ABNT
SILVA JUNIOR, E. F. da et al. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 09 maio 2024. , 2005
APA
Silva Junior, E. F. da, Henini, M., Scolfaro, L. M. R., & Sipahi, G. M. (2005). Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase (2007)
Rodrigues, S. C. P.; D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Júnior, Eronides Felisberto da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: EMISSÃO DA LUZ, ESPECTROS, LUMINESCÊNCIA, ABSORÇÃO
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase. Journal of Applied Physics, v. 101, n. Ju 2007, p. 113706-1-113706-6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2737968. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Júnior, E. F. da. (2007). White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase. Journal of Applied Physics, 101( Ju 2007), 113706-1-113706-6. doi:10.1063/1.2737968
NLM
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF da. White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 113706-1-113706-6.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2737968
Vancouver
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF da. White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 113706-1-113706-6.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2737968
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Trabalho de evento-resumo
Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers (2004)
Lima, Ivan C. da Cunha; Rodrigues, Sara C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat-3. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
LIMA, Ivan C. da Cunha et al. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. 2004, Anais.. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. In Resumos. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices (1999)
Rodrigues, S. C. P.; Beliaev, Dmitri; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (1999). Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 09 ]
Artigo de periodico
Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices (2000)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, v. 76, n. 8, p. 1015-1017, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.125924. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2000). Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, 76( 8), 1015-1017. doi:10.1063/1.125924
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study (1999)
Castineira, Jose Luis Petricelli; Leite, J. R.; Ramos, L. E.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTINEIRA, Jose Luis Petricelli et al. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Ramos, L. E., & Scolfaro, L. M. R. (1999). Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 09 ]
Artigo de periodico
Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PAIVA, R de et al. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. p 2-5, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), p 2-5. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Artigo de periodico
Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers (2004)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain (2007)
Ribeiro Junior, M; Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO JUNIOR, M et al. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 09 maio 2024. , 2007
APA
Ribeiro Junior, M., Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2007). Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmüller, Jurgen; Bechstedt, Friedhelm
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2002). Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 09 ]
Artigo de periodico
Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN (2006)
Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Furthmüller, Jurgen; Bechstedt, F; Ferreira, L G
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, v. 88, n. 2, p. 022507-1/022507-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2162802. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2006). Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, 88( 2), 022507-1/022507-3. doi:10.1063/1.2162802
NLM
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
Trabalho de evento-resumo
Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, Jose Roberto
Source: Programa e resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. In Programa e resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. Programa e resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. Programa e resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 09 ]
Trabalho de evento-resumo
The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures (2005)
Garcia, Joelson Cott; Lino, A T; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures. 2005, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Garcia, J. C., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva Junior, E. F. (2005). The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures. In Resumos. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf
NLM
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf
Vancouver
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf
Artigo de periodico
The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor (2008)
Rodrigues, S. C. P.; Araújo, Y. R. V.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Junior, E. F.
Source: Applied Surface Science. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, POLARIZAÇÃO, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, v. No 2008, n. 3, p. 709-711, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Araújo, Y. R. V., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. (2008). The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, No 2008( 3), 709-711. doi:10.1016/j.apsusc.2008.07.015
NLM
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015
Vancouver
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015
Artigo de periodico
The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot (2004)
Rodríguez Coppola, H; Tutor Sánchez, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; García Moliner, F
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RODRÍGUEZ COPPOLA, H et al. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Rodríguez Coppola, H., Tutor Sánchez, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & García Moliner, F. (2004). The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal. doi:10.1016/j.mejo.2003.10.005
NLM
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Vancouver
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Artigo de periodico
Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels (2002)
Ramos, L E; Furthmuller, J; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Bechstedt, F
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
RAMOS, L E et al. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels. Physical Review B, v. 66, n. 7, p. 075209/1-075209/ , 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Ramos, L. E., Furthmuller, J., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Bechstedt, F. (2002). Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels. Physical Review B, 66( 7), 075209/1-075209/ . doi:10.1103/physrevb.66.075209
NLM
Ramos LE, Furthmuller J, Scolfaro LMR, Leite JR, Bechstedt F. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 66( 7): 075209/1-075209/ .[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209
Vancouver
Ramos LE, Furthmuller J, Scolfaro LMR, Leite JR, Bechstedt F. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 66( 7): 075209/1-075209/ .[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209
Trabalho de evento-resumo
Study of thermodynamic and strutural properties in strained cubic InGaN and AlGaN alloys through first-principles calculations (2000)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro e LEITE, J. R. Study of thermodynamic and strutural properties in strained cubic InGaN and AlGaN alloys through first-principles calculations. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2000). Study of thermodynamic and strutural properties in strained cubic InGaN and AlGaN alloys through first-principles calculations. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Study of thermodynamic and strutural properties in strained cubic InGaN and AlGaN alloys through first-principles calculations. Resumos. 2000 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Study of thermodynamic and strutural properties in strained cubic InGaN and AlGaN alloys through first-principles calculations. Resumos. 2000 ;[citado 2024 maio 09 ]
Artigo de periodico
Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys (2012)
Borges, Pablo D; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Alves, Horacio W L; Silva, Eronides F da; Assali, L. V. C.
Source: Nanoscale Research Letters (NRL). Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORGES, Pablo D et al. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys. Nanoscale Research Letters (NRL), v. 7, n. 1, p. 540/1-540/6, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., Silva, E. F. da, & Assali, L. V. C. (2012). Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys. Nanoscale Research Letters (NRL), 7( 1), 540/1-540/6. doi:10.1186/1556-276X-7-540
NLM
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva EF da, Assali LVC. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys [Internet]. Nanoscale Research Letters (NRL). 2012 ;7( 1): 540/1-540/6.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540
Vancouver
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva EF da, Assali LVC. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys [Internet]. Nanoscale Research Letters (NRL). 2012 ;7( 1): 540/1-540/6.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540

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