ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) (2002)
Miotto, R; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, v. 81, n. 3, p. 481-483, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1494456. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, 81( 3), 481-483. doi:10.1063/1.1494456
NLM
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1494456
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1494456
Artigo de periodico
Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices (2000)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, v. 76, n. 8, p. 1015-1017, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.125924. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2000). Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, 76( 8), 1015-1017. doi:10.1063/1.125924
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924
Artigo de periodico
Thermoelectric effect in very thin film Pt/Au thermocouples (2006)
Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira; Vaz, A; Teixeira, F S; Cattani, Mauro Sérgio Dorsa ; Brown, I G
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALVADORI, Maria Cecília Barbosa da Silveira et al. Thermoelectric effect in very thin film Pt/Au thermocouples. Applied Physics Letters, v. 88, n. 13, p. 133106/1-133106/3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2189192. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Salvadori, M. C. B. da S., Vaz, A., Teixeira, F. S., Cattani, M. S. D., & Brown, I. G. (2006). Thermoelectric effect in very thin film Pt/Au thermocouples. Applied Physics Letters, 88( 13), 133106/1-133106/3. doi:10.1063/1.2189192
NLM
Salvadori MCB da S, Vaz A, Teixeira FS, Cattani MSD, Brown IG. Thermoelectric effect in very thin film Pt/Au thermocouples [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 13): 133106/1-133106/3.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2189192
Vancouver
Salvadori MCB da S, Vaz A, Teixeira FS, Cattani MSD, Brown IG. Thermoelectric effect in very thin film Pt/Au thermocouples [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 13): 133106/1-133106/3.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2189192
Artigo de periodico
Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN (2006)
Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Furthmüller, Jurgen; Bechstedt, F; Ferreira, L G
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, v. 88, n. 2, p. 022507-1/022507-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2162802. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2006). Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, 88( 2), 022507-1/022507-3. doi:10.1063/1.2162802
NLM
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
Artigo de periodico
Tailoring of light emission properties of functionalized oligothiophenes (2001)
Caldas, Marília Junqueira; Pettenati, Emanuele; Goldoni, Guido; Molinari, Elisa
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: EMISSÃO DA LUZ (PROPRIEDADES), FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira et al. Tailoring of light emission properties of functionalized oligothiophenes. Applied Physics Letters, v. 79, n. 16, p. 2505-2507, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389325. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Caldas, M. J., Pettenati, E., Goldoni, G., & Molinari, E. (2001). Tailoring of light emission properties of functionalized oligothiophenes. Applied Physics Letters, 79( 16), 2505-2507. doi:10.1063/1.1389325
NLM
Caldas MJ, Pettenati E, Goldoni G, Molinari E. Tailoring of light emission properties of functionalized oligothiophenes [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 16): 2505-2507.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389325
Vancouver
Caldas MJ, Pettenati E, Goldoni G, Molinari E. Tailoring of light emission properties of functionalized oligothiophenes [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 16): 2505-2507.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389325
Artigo de periodico
Tailoring magnetic vortices in nanostructures (2010)
Garcia, Flavio; Westfahl Junior, Harry; Schoenmaker, Jeroen; Carvalho, Edson Jose; Santos, Antonio Domingues; Pojar, Mariana ; Seabra, Antonio Carlos ; Bendounan, Azzedine; Belkhou, Rachid; Guimarães, Alberto Passos
Source: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Assunto: MAGNÉSIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Flavio et al. Tailoring magnetic vortices in nanostructures. Applied Physics Letters, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3462305. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Garcia, F., Westfahl Junior, H., Schoenmaker, J., Carvalho, E. J., Santos, A. D., Pojar, M., et al. (2010). Tailoring magnetic vortices in nanostructures. Applied Physics Letters. doi:10.1063/1.3462305
NLM
Garcia F, Westfahl Junior H, Schoenmaker J, Carvalho EJ, Santos AD, Pojar M, Seabra AC, Bendounan A, Belkhou R, Guimarães AP. Tailoring magnetic vortices in nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3462305
Vancouver
Garcia F, Westfahl Junior H, Schoenmaker J, Carvalho EJ, Santos AD, Pojar M, Seabra AC, Bendounan A, Belkhou R, Guimarães AP. Tailoring magnetic vortices in nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3462305
Artigo de periodico
Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) (2005)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, v. 86, p. 213111, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1931027. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, 86, 213111. doi:10.1063/1.1931027
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Artigo de periodico
Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) (2000)
Miotto, R.; Srivastava, G P; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G P e FERRAZ, A. C. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Applied Physics Letters, v. 76, n. 25, p. 3735-3737, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.126766. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (2000). Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Applied Physics Letters, 76( 25), 3735-3737. doi:10.1063/1.126766
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 25): 3735-3737.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.126766
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 25): 3735-3737.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.126766
Artigo de periodico
Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schoettker, B.; Frey, T.; Schikova, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 74, n. 3, p. 362-364, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.123072. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lemos, V., et al. (1999). Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, 74( 3), 362-364. doi:10.1063/1.123072
NLM
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Artigo de periodico
Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices (2001)
Henriques, André Bohomoletz
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices. Applied Physics Letters, v. 78, n. 6, p. 691-693, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1346627. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Henriques, A. B. (2001). Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices. Applied Physics Letters, 78( 6), 691-693. doi:10.1063/1.1346627
NLM
Henriques AB. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 6): 691-693.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1346627
Vancouver
Henriques AB. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 6): 691-693.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1346627
Artigo de periodico
Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys (2003)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Kharchenko, A; Husberg, O; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, v. 82, n. 24, p. 4274-4276, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Kharchenko, A., Husberg, O., et al. (2003). Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, 82( 24), 4274-4276. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs (2001)
Schmidt, T M; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 7, p. 907-909, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1347005. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, 78( 7), 907-909. doi:10.1063/1.1347005
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005
Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005
Artigo de periodico
Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs (2002)
Orellana, W; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, v. 81, n. 20, p. 3816-3818, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1521571. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2002). Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, 81( 20), 3816-3818. doi:10.1063/1.1521571
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571
Artigo de periodico
Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Furthmuller, K; Bechstedt, F
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: TERMODINÂMICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, v. 80, n. 7, p. 1177-1178, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, K., & Bechstedt, F. (2002). Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, 80( 7), 1177-1178. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Sensitivity-enhanced reflection Z-scan by oblique incidence of a polarized beam (1998)
Martinelli, M.; Bian, S; Leite, J. R.; Horowicz, Ricardo Josué
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINELLI, M. et al. Sensitivity-enhanced reflection Z-scan by oblique incidence of a polarized beam. Applied Physics Letters, v. 72, n. 12, p. 1427-1429, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.120584. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Martinelli, M., Bian, S., Leite, J. R., & Horowicz, R. J. (1998). Sensitivity-enhanced reflection Z-scan by oblique incidence of a polarized beam. Applied Physics Letters, 72( 12), 1427-1429. doi:10.1063/1.120584
NLM
Martinelli M, Bian S, Leite JR, Horowicz RJ. Sensitivity-enhanced reflection Z-scan by oblique incidence of a polarized beam [Internet]. Applied Physics Letters. 1998 ; 72( 12): 1427-1429.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120584
Vancouver
Martinelli M, Bian S, Leite JR, Horowicz RJ. Sensitivity-enhanced reflection Z-scan by oblique incidence of a polarized beam [Internet]. Applied Physics Letters. 1998 ; 72( 12): 1427-1429.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120584
Artigo de periodico
Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors (1997)
Hayashi, M A; Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H; Cardoso, L P; Sasaki, J M; Kretly, L C; Chang, S L
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HAYASHI, M A et al. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors. Applied Physics Letters, v. 71, n. 18, p. 2614-2616. 1997, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.120157. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Hayashi, M. A., Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Cardoso, L. P., Sasaki, J. M., Kretly, L. C., & Chang, S. L. (1997). Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors. Applied Physics Letters, 71( 18), 2614-2616. 1997. doi:10.1063/1.120157
NLM
Hayashi MA, Morelhão SL, Avanci LH, Cardoso LP, Sasaki JM, Kretly LC, Chang SL. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 71( 18): 2614-2616. 1997.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120157
Vancouver
Hayashi MA, Morelhão SL, Avanci LH, Cardoso LP, Sasaki JM, Kretly LC, Chang SL. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 71( 18): 2614-2616. 1997.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120157
Artigo de periodico
Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions (2004)
Chitta, Valmir Antonio; Coaquira, J A H; Fernandez, J R L; Duarte, C A; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590
NLM
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Vancouver
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Artigo de periodico
Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 (2006)
Ayres, Frederico; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, DETETORES, MERCÚRIO (ELEMENTO QUÍMICO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, Frederico et al. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, v. 88, n. 1, p. 011918-1/011918-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2159573. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, 88( 1), 011918-1/011918-3. doi:10.1063/1.2159573
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Artigo de periodico
Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, v. 79, n. 22, p. 3630-3632, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1421623. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2001). Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, 79( 22), 3630-3632. doi:10.1063/1.1421623
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623
Artigo de periodico
Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy (2002)
Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S et al. Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, v. 81, n. 15, p. 2863-2865, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1513182. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2002). Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, 81( 15), 2863-2865. doi:10.1063/1.1513182
NLM
Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 15): 2863-2865.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1513182
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 15): 2863-2865.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1513182

USP Schools

ReP

Filtros

Departament

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Funding Agencies

Indexado em

Normalized affiliation

Non normalized affiliation

Countries of institutions of collaboration