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ABNT
DIRANI, Ely Antonio Tadeu et al. Transição de fase em silício amorfo/microcristalino hidrogenado observada por espectroscopia Raman. 1998, Anais.. São Paulo: SBQ, 1998. . Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Dirani, E. A. T., Noda, L. K., Andrade, A. M. de, Sala, O., & Santos, P. S. (1998). Transição de fase em silício amorfo/microcristalino hidrogenado observada por espectroscopia Raman. In . São Paulo: SBQ.
NLM
Dirani EAT, Noda LK, Andrade AM de, Sala O, Santos PS. Transição de fase em silício amorfo/microcristalino hidrogenado observada por espectroscopia Raman. 1998 ;[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Dirani EAT, Noda LK, Andrade AM de, Sala O, Santos PS. Transição de fase em silício amorfo/microcristalino hidrogenado observada por espectroscopia Raman. 1998 ;[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e RUBIM, Joel Camargo. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. Journal of Raman Spectroscopy, v. 30, p. 29-36, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-4555(199901)30:1%3C29::aid-jrs337%3E3.0.co;2-p. Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Rubim, J. C. (1999). Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. Journal of Raman Spectroscopy, 30, 29-36. doi:10.1002/(sici)1097-4555(199901)30:1%3C29::aid-jrs337%3E3.0.co;2-p
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 1999 ; 30 29-36.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-4555(199901)30:1%3C29::aid-jrs337%3E3.0.co;2-p
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 1999 ; 30 29-36.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-4555(199901)30:1%3C29::aid-jrs337%3E3.0.co;2-p
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 20 abr. 2024. , 1999
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1999). Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. São Paulo: EPUSP.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. 1999 ;[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Polarization effects on the Raman and photoluminescence spectra of porous silicon layers. 1999 ;[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes et al. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., Rubim, J. C., & Matz, M. (1997). Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC, Matz M. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC, Matz M. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 20 abr. 2024. , 1999
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1999). Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. São Paulo: EPUSP.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. 1999 ;[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. 1999 ;[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Photonic band structure of periodic-like porous silicon. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 20 abr. 2024. , 1999
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1999). Photonic band structure of periodic-like porous silicon. São Paulo: EPUSP.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Photonic band structure of periodic-like porous silicon. 1999 ;[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Photonic band structure of periodic-like porous silicon. 1999 ;[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
FONTES, Marcelo Bariatto Andrade et al. Nitric oxide sensor based on silicon planar technology. 1999, Anais.. São Paulo: SBMicro/IMAPS, 1999. . Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Fontes, M. B. A., Angnes, L., Araki, K., Furlan, R., & Santiago-Avilés, J. J. (1999). Nitric oxide sensor based on silicon planar technology. In ICMP 99 : Technical Digest. São Paulo: SBMicro/IMAPS.
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e RUBIM, Joel Camargo. Influence of layer excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400028. Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Rubim, J. C. (1999). Influence of layer excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers. Brazilian Journal of Physics, 29( 4). doi:10.1590/s0103-97331999000400028
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC. Influence of layer excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4):[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400028
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC. Influence of layer excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4):[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400028
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ABNT
BARROS, Roque Spencer Maciel de et al. Estado das ideias: a usp chega aos 60 anos como um verdadeiro estado. Suas unidades do interior sao as cidades. Nesta edicao especial, o que se faz, se pensa e se cria na capital deste centro de pesquisa . [Depoimento]. Tradução . Jornal da Tarde, São Paulo, 1994. , n. 22 ja 1994, p. 1-6. Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Barros, R. S. M. de, Andrade, A. M. de, Silva, A. S., Zuffo, J. A., Landi, F. R., Piza, A. F. R. T., et al. (1994). Estado das ideias: a usp chega aos 60 anos como um verdadeiro estado. Suas unidades do interior sao as cidades. Nesta edicao especial, o que se faz, se pensa e se cria na capital deste centro de pesquisa . [Depoimento]. Jornal da Tarde, p. 1-6. São Paulo: Faculdade de Saúde Pública, Universidade de São Paulo.
NLM
Barros RSM de, Andrade AM de, Silva AS, Zuffo JA, Landi FR, Piza AFRT, Martins AR, Colli C, Szarfarc SC, Kerbauy GB, Bandeira WA, Wolynec S, Muccillo R, Leite JR, Santos PS, Armelin HA. Estado das ideias: a usp chega aos 60 anos como um verdadeiro estado. Suas unidades do interior sao as cidades. Nesta edicao especial, o que se faz, se pensa e se cria na capital deste centro de pesquisa . [Depoimento]. Jornal da Tarde. 1994 ;( 22 ja 1994):1-6.[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Barros RSM de, Andrade AM de, Silva AS, Zuffo JA, Landi FR, Piza AFRT, Martins AR, Colli C, Szarfarc SC, Kerbauy GB, Bandeira WA, Wolynec S, Muccillo R, Leite JR, Santos PS, Armelin HA. Estado das ideias: a usp chega aos 60 anos como um verdadeiro estado. Suas unidades do interior sao as cidades. Nesta edicao especial, o que se faz, se pensa e se cria na capital deste centro de pesquisa . [Depoimento]. Jornal da Tarde. 1994 ;( 22 ja 1994):1-6.[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
FONTES, Marcelo Bariatto Andrade et al. Development and characterization of an array of silicon based microelectrodes. Journal of Solid State Devices and Circuits, v. 7, n. 1, p. 12-16, 1999Tradução . . Acesso em: 20 abr. 2024.
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Fontes, M. B. A., Furlan, R., Santiago-Avilés, J. J., & Araki, K. (1999). Development and characterization of an array of silicon based microelectrodes. Journal of Solid State Devices and Circuits, 7( 1), 12-16.
NLM
Fontes MBA, Furlan R, Santiago-Avilés JJ, Araki K. Development and characterization of an array of silicon based microelectrodes. Journal of Solid State Devices and Circuits. 1999 ; 7( 1): 12-16.[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Fontes MBA, Furlan R, Santiago-Avilés JJ, Araki K. Development and characterization of an array of silicon based microelectrodes. Journal of Solid State Devices and Circuits. 1999 ; 7( 1): 12-16.[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
SILVA, Maria Lucia Pereira da et al. Desenvolvimento de um sistema integrado multicamara para a deposicao de 'SI''O IND.2' dopados ou nao com boro e / ou fosforo por r / pecvd. 1992, Anais.. Campinas: Unicamp, 1992. . Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Silva, M. L. P. da, Shibata, N. Y., Escote, A. T., Matsumura, W. T., Oliveira, E. de, & Swart, J. W. (1992). Desenvolvimento de um sistema integrado multicamara para a deposicao de 'SI''O IND.2' dopados ou nao com boro e / ou fosforo por r / pecvd. In Resumos. Campinas: Unicamp.
NLM
Silva MLP da, Shibata NY, Escote AT, Matsumura WT, Oliveira E de, Swart JW. Desenvolvimento de um sistema integrado multicamara para a deposicao de 'SI''O IND.2' dopados ou nao com boro e / ou fosforo por r / pecvd. Resumos. 1992 ;[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Silva MLP da, Shibata NY, Escote AT, Matsumura WT, Oliveira E de, Swart JW. Desenvolvimento de um sistema integrado multicamara para a deposicao de 'SI''O IND.2' dopados ou nao com boro e / ou fosforo por r / pecvd. Resumos. 1992 ;[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Characterization of porous silicon by photoluminescence, ellipsometric and micro-Raman spectroscopies. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 20 abr. 2024. , 1999
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1999). Characterization of porous silicon by photoluminescence, ellipsometric and micro-Raman spectroscopies. São Paulo: EPUSP.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Characterization of porous silicon by photoluminescence, ellipsometric and micro-Raman spectroscopies. 1999 ;[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Characterization of porous silicon by photoluminescence, ellipsometric and micro-Raman spectroscopies. 1999 ;[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
MENEGHINI, Rogério et al. Avaliacao: rebaixamento de notas cria polemica. [Depoimento a marli gregorio]. Tradução . Jornal da USP, São Paulo, 1994. , p. 7-8. Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Meneghini, R., Taniguchi, C., Bennaton, J. F., Merklen Goldschmidt, H. A., Menezes, N. L. de, Giulietti, A. M., et al. (1994). Avaliacao: rebaixamento de notas cria polemica. [Depoimento a marli gregorio]. Jornal da USP, p. 7-8. São Paulo: Instituto de Química, Universidade de São Paulo.
NLM
Meneghini R, Taniguchi C, Bennaton JF, Merklen Goldschmidt HA, Menezes NL de, Giulietti AM, Mariotto PA, Goncalves DL, Angerami JJ. Avaliacao: rebaixamento de notas cria polemica. [Depoimento a marli gregorio]. Jornal da USP. 1994 ;7-8.[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Meneghini R, Taniguchi C, Bennaton JF, Merklen Goldschmidt HA, Menezes NL de, Giulietti AM, Mariotto PA, Goncalves DL, Angerami JJ. Avaliacao: rebaixamento de notas cria polemica. [Depoimento a marli gregorio]. Jornal da USP. 1994 ;7-8.[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
FONTES, Marcelo Bariatto Andrade et al. A study of modified silicon based-microelectrodes for nitric oxide detection. 1998, Anais.. Havana: Havana University, 1998. . Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Fontes, M. B. A., Furlan, R., Santiago-Avilés, J. J., Araki, K., & Angnes, L. (1998). A study of modified silicon based-microelectrodes for nitric oxide detection. In Book of abstracts. Havana: Havana University.
NLM
Fontes MBA, Furlan R, Santiago-Avilés JJ, Araki K, Angnes L. A study of modified silicon based-microelectrodes for nitric oxide detection. Book of abstracts. 1998 ;[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Fontes MBA, Furlan R, Santiago-Avilés JJ, Araki K, Angnes L. A study of modified silicon based-microelectrodes for nitric oxide detection. Book of abstracts. 1998 ;[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
FONTES, Marcelo Bariatto Andrade et al. A study of modified silicon based microelectrodes for nitric oxide detection. Quimica Analitica, v. 18, p. 136-137, 1999Tradução . . Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Fontes, M. B. A., Angnes, L., Araki, K., Furlan, R., & Santiago-Avilés, J. J. (1999). A study of modified silicon based microelectrodes for nitric oxide detection. Quimica Analitica, 18, 136-137.
NLM
Fontes MBA, Angnes L, Araki K, Furlan R, Santiago-Avilés JJ. A study of modified silicon based microelectrodes for nitric oxide detection. Quimica Analitica. 1999 ; 18 136-137.[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Fontes MBA, Angnes L, Araki K, Furlan R, Santiago-Avilés JJ. A study of modified silicon based microelectrodes for nitric oxide detection. Quimica Analitica. 1999 ; 18 136-137.[citado 2024 abr. 20 ]
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ABNT
FONTES, Marcelo Bariatto Andrade et al. A general purpose silica on based electrochemical sensor: development and characterization. 1998, Anais.. Curitiba: Instituto de Química, Universidade de São Paulo, 1998. . Acesso em: 20 abr. 2024.
APA
Fontes, M. B. A., Furlan, R., Santiago-Avilés, J. J., & Araki, K. (1998). A general purpose silica on based electrochemical sensor: development and characterization. In . Curitiba: Instituto de Química, Universidade de São Paulo.
NLM
Fontes MBA, Furlan R, Santiago-Avilés JJ, Araki K. A general purpose silica on based electrochemical sensor: development and characterization. 1998 ;[citado 2024 abr. 20 ]
Vancouver
Fontes MBA, Furlan R, Santiago-Avilés JJ, Araki K. A general purpose silica on based electrochemical sensor: development and characterization. 1998 ;[citado 2024 abr. 20 ]