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Artigo de periodico
Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system (2009)
Mammani, Niko Churata; Gusev, Guennadii Michailovich; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Raichev, O E; Quivy, A. A.; Bakarov, A K
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
MAMMANI, Niko Churata et al. Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system. Physical Review B, v. 80, n. 7, p. 085304-1/085304-5, 2009Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Mammani, N. C., Gusev, G. M., Silva, E. C. F. da, Raichev, O. E., Quivy, A. A., & Bakarov, A. K. (2009). Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system. Physical Review B, 80( 7), 085304-1/085304-5. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Mammani NC, Gusev GM, Silva ECF da, Raichev OE, Quivy AA, Bakarov AK. Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 7): 085304-1/085304-5.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Mammani NC, Gusev GM, Silva ECF da, Raichev OE, Quivy AA, Bakarov AK. Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 7): 085304-1/085304-5.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE (2008)
Cunha, J F R; Silva, S W da; Morais, P C; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CUNHA, J F R et al. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Cunha, J. F. R., Silva, S. W. da, Morais, P. C., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2008). Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
NLM
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
Vancouver
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
Artigo de periodico
The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells (2008)
Silva, M A T da; Morais, R R O; Dias, I F L; Lourenço, S A; Duarte, J L; Laureto, E; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPALHAMENTO
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ABNT
SILVA, M A T da et al. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 20, n. 25, p. 255246/1-255246/9, 2008Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Silva, M. A. T. da, Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2008). The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 20( 25), 255246/1-255246/9. Recuperado de http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
NLM
Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
Vancouver
Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
Trabalho de evento-resumo
Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells (2008)
Cesar, Daniel Ferreira; Lopes, Èlder Mantovani; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Franchello, Flávio; Laureto, E; Guimarães, Paulo Sérgio Soares; Quivy, A. A.
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CESAR, Daniel Ferreira et al. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Cesar, D. F., Lopes, È. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Franchello, F., Laureto, E., et al. (2008). Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
NLM
Cesar DF, Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Franchello F, Laureto E, Guimarães PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
Vancouver
Cesar DF, Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Franchello F, Laureto E, Guimarães PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
Artigo de periodico
Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots (2008)
Pagnossin, Ivan Ramos; Meikap, A K; Quivy, A. A.; Gusev, Guennadii Michailovich
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
PAGNOSSIN, Ivan Ramos et al. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 104, n. 7, p. 073723/1-073723/6, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2996034. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Pagnossin, I. R., Meikap, A. K., Quivy, A. A., & Gusev, G. M. (2008). Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots. Journal of Applied Physics, 104( 7), 073723/1-073723/6. doi:10.1063/1.2996034
NLM
Pagnossin IR, Meikap AK, Quivy AA, Gusev GM. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104( 7): 073723/1-073723/6.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2996034
Vancouver
Pagnossin IR, Meikap AK, Quivy AA, Gusev GM. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104( 7): 073723/1-073723/6.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2996034
Trabalho de evento-resumo
Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" (2008)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Lourenço, S A; Laureto, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk". 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., Laureto, E., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2008). Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk". In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
Artigo de periodico
Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system (2007)
Freitas, Raul de Oliveira; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira et al. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science, v. 204, n. 8, p. 2548-2454, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Freitas, R. de O., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2007). Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science, 204( 8), 2548-2454. doi:10.1002/pssa.200675673
NLM
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system [Internet]. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. 2007 ; 204( 8): 2548-2454.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673
Vancouver
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system [Internet]. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. 2007 ; 204( 8): 2548-2454.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673
Artigo de periodico
Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field (2007)
Duarte, C A; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Bakarov, A K; Portal, J C
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, C A et al. Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field. Physical Review B, v. 76, n. 7, p. 075346/1-075346/8, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075346. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Duarte, C. A., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Bakarov, A. K., & Portal, J. C. (2007). Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field. Physical Review B, 76( 7), 075346/1-075346/8. doi:10.1103/physrevb.76.075346
NLM
Duarte CA, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Bakarov AK, Portal JC. Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 76( 7): 075346/1-075346/8.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075346
Vancouver
Duarte CA, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Bakarov AK, Portal JC. Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 76( 7): 075346/1-075346/8.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075346
Trabalho de evento-resumo
Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells (2007)
Lourenço, Sidney Alves; Duarte, J L; Silva, M A T da; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Silva, M. A. T. da, Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2007). Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat (2007)
Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Marques, E B
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S et al. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 24 abr. 2024. , 2007
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Marques, E. B. (2007). In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Marques EB. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 17-18.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Marques EB. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 17-18.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells (2007)
Ortiz de Zevallos, Angela M; Cano, Nilo Francisco; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Portal, J C
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORTIZ DE ZEVALLOS, Angela M et al. Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells. Physical Review B, v. 75, n. 20, p. 205324/1-205324/8, 2007Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Ortiz de Zevallos, A. M., Cano, N. F., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Portal, J. C. (2007). Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells. Physical Review B, 75( 20), 205324/1-205324/8. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 20): 205324/1-205324/8.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 20): 205324/1-205324/8.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy (2007)
Rudno-Rudziñski, W; Sek, G; Misiewicz, J; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO MOSSBAUER, LASER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RUDNO-RUDZIÑSKI, W et al. The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy. Journal of Applied Physics, v. 101, n. 7, p. 0735018/1-073518/4, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2714686. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Rudno-Rudziñski, W., Sek, G., Misiewicz, J., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2007). The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy. Journal of Applied Physics, 101( 7), 0735018/1-073518/4. doi:10.1063/1.2714686
NLM
Rudno-Rudziñski W, Sek G, Misiewicz J, Lamas TE, Quivy AA. The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( 7): 0735018/1-073518/4.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2714686
Vancouver
Rudno-Rudziñski W, Sek G, Misiewicz J, Lamas TE, Quivy AA. The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( 7): 0735018/1-073518/4.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2714686
Artigo de periodico
Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells (2007)
Cunha, J F R; Silva, S W da; Morais, P C; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CUNHA, J F R et al. Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 102, n. 4, p. 0437048/1-043704/6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2769963. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Cunha, J. F. R., Silva, S. W. da, Morais, P. C., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2007). Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells. Journal of Applied Physics, 102( 4), 0437048/1-043704/6. doi:10.1063/1.2769963
NLM
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 102( 4): 0437048/1-043704/6.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2769963
Vancouver
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 102( 4): 0437048/1-043704/6.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2769963
Trabalho de evento
Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos (2006)
Cunha, J F R; Silva, S W; Morais, P C; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Cunha, J F R
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CUNHA, J F R et al. Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1105-1.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Cunha, J. F. R., Silva, S. W., Morais, P. C., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Cunha, J. F. R. (2006). Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1105-1.pdf
NLM
Cunha JFR, Silva SW, Morais PC, Quivy AA, Lamas TE, Cunha JFR. Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1105-1.pdf
Vancouver
Cunha JFR, Silva SW, Morais PC, Quivy AA, Lamas TE, Cunha JFR. Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1105-1.pdf
Artigo de periodico
High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition (2006)
Szafraniec, J; Tsao, S; Zhang, W; Lim, H; Taguchi, M; Quivy, A. A.; Movaghar, B; Razeghi, M
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
SZAFRANIEC, J et al. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition. Applied Physics Letters, v. 88, n. 12, p. 121102/1-121102/3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2188056. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Szafraniec, J., Tsao, S., Zhang, W., Lim, H., Taguchi, M., Quivy, A. A., et al. (2006). High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition. Applied Physics Letters, 88( 12), 121102/1-121102/3. doi:10.1063/1.2188056
NLM
Szafraniec J, Tsao S, Zhang W, Lim H, Taguchi M, Quivy AA, Movaghar B, Razeghi M. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 12): 121102/1-121102/3.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2188056
Vancouver
Szafraniec J, Tsao S, Zhang W, Lim H, Taguchi M, Quivy AA, Movaghar B, Razeghi M. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 12): 121102/1-121102/3.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2188056
Artigo de periodico
Electric field controlled g-factor in parabolic well determined by transport measurements (2006)
Duarte, Cesário Antonio; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Portal, J C
Source: Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
DUARTE, Cesário Antonio et al. Electric field controlled g-factor in parabolic well determined by transport measurements. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, v. 34, n. 1-2, p. 329-332, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.086. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Duarte, C. A., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Portal, J. C. (2006). Electric field controlled g-factor in parabolic well determined by transport measurements. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 34( 1-2), 329-332. doi:10.1016/j.physe.2006.03.086
NLM
Duarte CA, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Electric field controlled g-factor in parabolic well determined by transport measurements [Internet]. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. 2006 ; 34( 1-2): 329-332.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.086
Vancouver
Duarte CA, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Electric field controlled g-factor in parabolic well determined by transport measurements [Internet]. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. 2006 ; 34( 1-2): 329-332.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.086
Artigo de periodico
InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications (2006)
Lamas, Tomás Erikson; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, Tomás Erikson e QUIVY, A. A. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 405-407, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2006). InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 405-407. doi:10.1590/s0103-97332006000300046
NLM
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Artigo de periodico
Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes (2006)
Cano, Nilo Francisco; Duarte, Celso de Araújo; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANO, Nilo Francisco et al. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 336-339, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Cano, N. F., Duarte, C. de A., Gusev, G. M., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2006). Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 336-339. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
NLM
Cano NF, Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 336-339.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
Vancouver
Cano NF, Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 336-339.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
Artigo de periodico
Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors (2006)
Lim, H; Movaghar, B; Tsao , S; Taguchi, M; Zhang, W; Quivy, A. A.; Razeghi, M
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIM, H et al. Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors. Physical Review B, v. 74, n. 20, p. 205321/1-205321/8, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.74.205321. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Lim, H., Movaghar, B., Tsao , S., Taguchi, M., Zhang, W., Quivy, A. A., & Razeghi, M. (2006). Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors. Physical Review B, 74( 20), 205321/1-205321/8. doi:10.1103/physrevb.74.205321
NLM
Lim H, Movaghar B, Tsao S, Taguchi M, Zhang W, Quivy AA, Razeghi M. Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 74( 20): 205321/1-205321/8.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.74.205321
Vancouver
Lim H, Movaghar B, Tsao S, Taguchi M, Zhang W, Quivy AA, Razeghi M. Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 74( 20): 205321/1-205321/8.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.74.205321
Trabalho de evento
Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs (2006)
Lopes, E M; Duarte, J L; César, D F; Poças, L C; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, E M et al. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., César, D. F., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., et al. (2006). Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
NLM
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf

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