Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
ABNT
ROSSI, J C et al. Crescimento preferencial de fios cristalinos de 'GA''AS' em substratos preparados por litografia de feixe de eletrons. 1993, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica, 1993. . Acesso em: 23 abr. 2024.APA
Rossi, J. C., Silva, M. de A. P. da, Aegerter, M. A., Basmaji, P., & Lubyshev, D. (1993). Crescimento preferencial de fios cristalinos de 'GA''AS' em substratos preparados por litografia de feixe de eletrons. In . Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica.NLM
Rossi JC, Silva M de AP da, Aegerter MA, Basmaji P, Lubyshev D. Crescimento preferencial de fios cristalinos de 'GA''AS' em substratos preparados por litografia de feixe de eletrons. 1993 ;[citado 2024 abr. 23 ]Vancouver
Rossi JC, Silva M de AP da, Aegerter MA, Basmaji P, Lubyshev D. Crescimento preferencial de fios cristalinos de 'GA''AS' em substratos preparados por litografia de feixe de eletrons. 1993 ;[citado 2024 abr. 23 ]