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  • Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SOLUÇÕES

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    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2023). ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-4. doi:10.29292/jics.v18i1.646
    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646
    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646
  • Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: SENSOR, RADIAÇÃO ULTRAVIOLETA

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    • ABNT

      SANTOS, Fernando L Nogueira e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e MARTINO, João Antonio. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Santos, F. L. N., Santos Filho, S. G. dos, & Martino, J. A. (2023). Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302558
    • NLM

      Santos FLN, Santos Filho SG dos, Martino JA. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558
    • Vancouver

      Santos FLN, Santos Filho SG dos, Martino JA. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558
  • Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS DIGITAIS

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    • ABNT

      SILVA, V C P et al. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Silva, V. C. P., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2023). Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2023.108729
    • NLM

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729
    • Vancouver

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729
  • Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: FRACTAIS, SIMULAÇÃO, AVALIAÇÃO DE DESEMPENHO

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    • ABNT

      FERNANDES, Lucas Almir dos Santos e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías e MARTINO, João Antonio. Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.660. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Fernandes, L. A. dos S., Alayo Chávez, M. I., & Martino, J. A. (2023). Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-5. doi:10.29292/jics.v18i1.660
    • NLM

      Fernandes LA dos S, Alayo Chávez MI, Martino JA. Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-5.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.660
    • Vancouver

      Fernandes LA dos S, Alayo Chávez MI, Martino JA. Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-5.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.660
  • Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES

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    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 9, p. 1-12, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, 38( 9), 1-12. doi:10.1088/1361-6641/aceb84
    • NLM

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84
    • Vancouver

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84
  • Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA

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    • ABNT

      SILVA, Wenita de Lima et al. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, v. 202, p. 1-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Silva, W. de L., Toledo, R. do N., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, 202, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2023.108611
    • NLM

      Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611
    • Vancouver

      Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611
  • Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

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    • ABNT

      ARAÚJO, Gustavo Vinicius de e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
    • NLM

      Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
    • Vancouver

      Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, ALUMÍNIO

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    • ABNT

      CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
    • NLM

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
    • Vancouver

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
  • Unidade: EP

    Assunto: TRANSISTORES

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
    • NLM

      Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
    • Vancouver

      Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
  • Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Canales, B. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302593
    • NLM

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593
    • Vancouver

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593
  • Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
    • NLM

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
    • Vancouver

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
  • Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
    • NLM

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
    • Vancouver

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
  • Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302604
    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604
    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604
  • Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TEMPERATURA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742
    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
  • Source: ECS Transactions. Unidade: EP

    Subjects: ELETRODO, REFRATÁRIOS, METALOGRAFIA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, v. 111, n. 1, p. 279-284, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, 111( 1), 279-284. doi:10.1149/11101.0279ecst
    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst
    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst
  • Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy et al. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Canales, B. G., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, 38( 11), 1-6. doi:10.1088/1361-6641/acfa1f
    • NLM

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f
    • Vancouver

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f
  • Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA

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    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-6. doi:10.29292/jics.v18il.653
    • NLM

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ;18( 1): 1-6.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653
    • Vancouver

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ;18( 1): 1-6.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653
  • Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

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    • ABNT

      SOUTO, Rayana Carvalho de Barros e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Souto, R. C. de B., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302596
    • NLM

      Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596
    • Vancouver

      Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596
  • Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP

    Subjects: ANÁLISE TÉRMICA, AMPLIFICADORES

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    • ABNT

      CAMARGO, Raphael Gil e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Camargo, R. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET. In SBMICRO. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962
    • NLM

      Camargo RG, Martino JA, Agopian PGD. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962
    • Vancouver

      Camargo RG, Martino JA, Agopian PGD. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962
  • Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento et al. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Toledo, R. do N., Silva, W. de L., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108328
    • NLM

      Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328
    • Vancouver

      Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328

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