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  • Source: Materials Science Forum. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      SCOLFARO, L M R et al. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum, v. 143-7, p. 669-74, 1994Tradução . . Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Mendonca, C. A. C., Beliaev, D., Shibli, S. M., Silva, E. C. F., & Meneses, E. A. (1994). Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum, 143-7, 669-74.
    • NLM

      Scolfaro LMR, Leite JR, Mendonca CAC, Beliaev D, Shibli SM, Silva ECF, Meneses EA. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum. 1994 ;143-7 669-74.[citado 2024 mar. 29 ]
    • Vancouver

      Scolfaro LMR, Leite JR, Mendonca CAC, Beliaev D, Shibli SM, Silva ECF, Meneses EA. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum. 1994 ;143-7 669-74.[citado 2024 mar. 29 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      MENDONCA, C A C et al. Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B, v. 48, n. 16, p. 12316, 1993Tradução . . Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Mendonca, C. A. C., Plentz, F., Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., et al. (1993). Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B, 48( 16), 12316.
    • NLM

      Mendonca CAC, Plentz F, Oliveira JBB, Meneses EA, Scolfaro LMR, Beliaev D, Shibli SM, Leite JR. Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B. 1993 ;48( 16): 12316.[citado 2024 mar. 29 ]
    • Vancouver

      Mendonca CAC, Plentz F, Oliveira JBB, Meneses EA, Scolfaro LMR, Beliaev D, Shibli SM, Leite JR. Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B. 1993 ;48( 16): 12316.[citado 2024 mar. 29 ]
  • Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      SHIBLI, S M et al. Electronic properties of multiple 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy and migration-enhanced epitaxy. Journal of Crystal Growth, v. 127, p. 700-2, 1993Tradução . . Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Shibli, S. M., Henriques, A. B., Mendonca, C. A. C., Da Silva, E. C. F., Meneses, E. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1993). Electronic properties of multiple 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy and migration-enhanced epitaxy. Journal of Crystal Growth, 127, 700-2.
    • NLM

      Shibli SM, Henriques AB, Mendonca CAC, Da Silva ECF, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic properties of multiple 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy and migration-enhanced epitaxy. Journal of Crystal Growth. 1993 ;127 700-2.[citado 2024 mar. 29 ]
    • Vancouver

      Shibli SM, Henriques AB, Mendonca CAC, Da Silva ECF, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic properties of multiple 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy and migration-enhanced epitaxy. Journal of Crystal Growth. 1993 ;127 700-2.[citado 2024 mar. 29 ]
  • Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      MENDONCA, C A C et al. Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers. 1993, Anais.. Singapura: World Scientific, 1993. . Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Mendonca, C. A. C., Scolfaro, L. M. R., Henriques, A. B., Oliveira, J. B. B., Plentz, F., Shibli, S. M., et al. (1993). Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers. In Proceedings. Singapura: World Scientific.
    • NLM

      Mendonca CAC, Scolfaro LMR, Henriques AB, Oliveira JBB, Plentz F, Shibli SM, Meneses EA, Leite JR. Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers. Proceedings. 1993 ;[citado 2024 mar. 29 ]
    • Vancouver

      Mendonca CAC, Scolfaro LMR, Henriques AB, Oliveira JBB, Plentz F, Shibli SM, Meneses EA, Leite JR. Hole confinement effects in periodically 'GAMA'-doped 'GA''AS' layers. Proceedings. 1993 ;[citado 2024 mar. 29 ]
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

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    • ABNT

      SHIBILI, S M e SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. Hole confinement effects on multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Applied Physics Letters, v. 60, n. ju 1992, p. 2895, 1992Tradução . . Acesso em: 29 mar. 2024.
    • APA

      Shibili, S. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1992). Hole confinement effects on multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Applied Physics Letters, 60( ju 1992), 2895.
    • NLM

      Shibili SM, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole confinement effects on multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Applied Physics Letters. 1992 ;60( ju 1992): 2895.[citado 2024 mar. 29 ]
    • Vancouver

      Shibili SM, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole confinement effects on multiple 'SI' 'DELTA' doping in 'GA''AS'. Applied Physics Letters. 1992 ;60( ju 1992): 2895.[citado 2024 mar. 29 ]

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