Source: Resumos. Conference titles: Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
ARAES, L G e HASENACK, Claus Martin. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. 1995, Anais.. Sao Paulo: Usp, 1995. . Acesso em: 17 abr. 2024.APA
Araes, L. G., & Hasenack, C. M. (1995). Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. In Resumos. Sao Paulo: Usp.NLM
Araes LG, Hasenack CM. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 17 ]Vancouver
Araes LG, Hasenack CM. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 17 ]
