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Tese

Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta (1977)

  • Authors:
  • Autor USP: STRUM, MARIUS - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PEL
  • Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
  • Language: Português
  • Abstract: É apresentado neste trabalho um estudo teórico e experimental sobre transistores a efeito de campo MOS de dupla porta, também chamados tetrodos MOS, dispositivos estes que resultam da associação e, “cascode” de dois TEC-MOS simples e que apresentam características atraentes para aplicações em circuitos de comunicações. O estudo constou em projetar, fabricar e caracterizar tetrodos MOS para funcionarem como amplificadores de RF na faixa de VHF (30 a 300MHz). No projeto, estudam-se inicialmente as características estáticas do dispositivo, a partir de um modelo definido após uma breve discussão sobre alguns dos modelos reportados na literatura. Em seguida é desenvolvido um circuito equivalente a partir do qual são estudadas as características dinâmicas do dispositivo e o qual serve de base para uma discussão sobre o ruído do tetrodo MOS. Finalmente são apresentados os critérios baseados nos quais foi desenhado o conjunto de máscaras necessárias para a fabricação dos transistores e são feitas algumas considerações sobre os processos por que passaram os transistores durante sua fabricação. Foram fabricados dispositivos com comprimentos de canal L=4µm e L=5µm sobre lâminas de Si de resistividades p=8Ωcm e p=14Ωcm utilizando tecnologia NMOS com porta de Al e implantação iônica para ajustar a tensão de limiar e para executar a técnica de autoalinhamento. Queremos mencionar que não temos conhecimento de nenhum trabalho reportado na literatura que utilize tal tecnologia para fabricar TEC-MOS de dupla porta.Os vários dispositivos fabricados apresentaram características estáticas semelhantes entre si tais como tensões de limiar de portas 1 e 2, Vt1=VT2≃tensão de ruptura do dreno (ruptura suave), VR ≃15V; corrente de dreno para VG1= 0V, VG2=4V e VD=12V, ID≃20mA. Quanto ao aspecto dinâmico os transistores de L=4µm apresentaram condutância de entrada, gin≃0,35mS; capacitância de entrada, Cin ≃3,6pF e máximo ganho de potência disponível MAG≃25dB, características estas que estão melhores que as dos de L=5µm que apresentaram gin≃0,75mS; Cin≃4,8pF e MAG≃21dB, todos estes valores medidos em f=200 MHz. Todos os dispositivos apresentaram nas condições de polarização acima mencionadas transcondutância de porta, gmot≃18mS, na frequência f=1KHz. Não houve diferenças pronunciadas entre dispositivos fabricados sobre diferentes substratos. Medidas feitas em alguns dispositivos comerciais similares (3N187 RCA) indicaram que estes apresentam características semelhantes a dos dispositivos aqui fabricados. Os resultados obtidos indicam que o procedimento e os modelos propostos para projetar tetrodos MOS são satisfatórios e que os dispositivos fabricados prestam-se perfeitamente para funcionarem como amplificadores de RF na faixa de VHF.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 27.10.1977
    • How to cite
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    • ABNT

      STRUM, Marius. Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta. 1977. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1977. . Acesso em: 24 abr. 2024.

    • APA

      Strum, M. (1977). Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Strum M. Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta. 1977 ;[citado 2024 abr. 24 ]

    • Vancouver

      Strum M. Uma contribuição ao estudo teórico e experimental de um TEC-MOS de dupla porta. 1977 ;[citado 2024 abr. 24 ]

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