Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields (1987)
- Autores:
- Autores USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
- Idioma: Português
- Fonte:
- Título do periódico: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.35, n.6 , p.2896-903, 1987
-
ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B, v. 35, n. 6 , p. 2896-903, 1987Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1987). Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B, 35( 6 ), 2896-903. -
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B. 1987 ;35( 6 ): 2896-903.[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Behavior of the electron-hole gas in quantum wells in 'GAAS-AL IND.X''GA IND.1-X''AS' heterosctruture under in plane magnetic fields. Physical Review B. 1987 ;35( 6 ): 2896-903.[citado 2024 abr. 24 ] - Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon
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