Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon (1988)
- Autores:
- Autores USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: World Scientific
- Local: Singapore
- Data de publicação: 1988
- Fonte:
- Título do periódico: Proceedings
- Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores
-
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 25 abr. 2024. -
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In Proceedings. Singapore: World Scientific. -
NLM
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 abr. 25 ] -
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 abr. 25 ] - Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si
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