Attitude solar sensors for the brazilian satellites (1988)
- Autores:
- Autores USP: ANDRADE, CARLOS AMERICO MORATO DE - IEE ; ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP ; SANEMATSU, MARIO SABRO - EP ; FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP
- Unidades: IEE; EP
- Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Acad Soc Rep Romania/Min Electrotechnical Industry
- Local: Poiana Brasov
- Data de publicação: 1988
- Fonte:
- Título do periódico: Proceedings
- Nome do evento: International Conference on Electrical Drives
-
ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de et al. Attitude solar sensors for the brazilian satellites. 1988, Anais.. Poiana Brasov: Acad Soc Rep Romania/Min Electrotechnical Industry, 1988. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Andrade, C. A. M. de, Andrade, A. M. de, Fonseca, F. J., Sanematsu, M. S., Selingardi, M. L., Bertolino, M. A., & Matos, J. D. (1988). Attitude solar sensors for the brazilian satellites. In Proceedings. Poiana Brasov: Acad Soc Rep Romania/Min Electrotechnical Industry. -
NLM
Andrade CAM de, Andrade AM de, Fonseca FJ, Sanematsu MS, Selingardi ML, Bertolino MA, Matos JD. Attitude solar sensors for the brazilian satellites. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Andrade CAM de, Andrade AM de, Fonseca FJ, Sanematsu MS, Selingardi ML, Bertolino MA, Matos JD. Attitude solar sensors for the brazilian satellites. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Transistores de filmes finos de silicio amorfo
- Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb
- Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro
- Desenvolvimento de detetores integrados para sensores de atitude
- Amorphous silicon thin film field effect transistors
- Caracterização de detetores fotovoltaicos integrados para os sensores solares da mecb
- PECVD deposited dielectrics for a-Si:H thin film transistors
- Injecting contacts for a Si:H thin film transistors
- Estudo comparativo da implantacao ionica de potassio e fosforo em silicio amorfo para utilizacao em contatos injetores
- Luminescence properties of the TRIMEB inclusion compound of a europium tris-ß-diketonate
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas