Hydrogen passivation of shallow donors in silicon (1989)
- Autores:
- Autores USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SILVA, EUZI CONCEICAO FERNANDES DA - IF ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1002/qua.560360871
- Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Fonte:
- Título do periódico: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.23, p.693, 1989
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SILVA, E C F e ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 23, p. 693, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560360871. Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
Silva, E. C. F., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1989). Hydrogen passivation of shallow donors in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 23, 693. doi:10.1002/qua.560360871 -
NLM
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 693.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560360871 -
Vancouver
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 693.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560360871 - Lattice response around a silicon vacancy
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Informações sobre o DOI: 10.1002/qua.560360871 (Fonte: oaDOI API)
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