Experimental study of lateral growth of titanium silicide (1990)
- Autores:
- Autores USP: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP ; OKA, MAURICIO MASSAZUMI - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Sbmicro/Spie
- Local: Campinas
- Data de publicação: 1990
- Fonte:
- Título do periódico: Anais
- Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
OKA, Mauricio Massazumi e SWART, Jacobus Willibrordus. Experimental study of lateral growth of titanium silicide. 1990, Anais.. Campinas: Sbmicro/Spie, 1990. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Oka, M. M., & Swart, J. W. (1990). Experimental study of lateral growth of titanium silicide. In Anais. Campinas: Sbmicro/Spie. -
NLM
Oka MM, Swart JW. Experimental study of lateral growth of titanium silicide. Anais. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Oka MM, Swart JW. Experimental study of lateral growth of titanium silicide. Anais. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Estudo do crescimento lateral do siliceto de 'CO' formado por rtr (recozimento termico rapido)
- Six sigma method applied for reflow soldering process in SMT (surface Mount Technology)
- Estudo do crescimento lateral de silicetos e formacao do siliceto de cobalto sobre silicio altamente dopado
- Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lap irradiation. (em CD-Rom)
- Effect of stencil alignment on the solder beading in SMT process
- Aplicação do método Seis Sigma ao processo de refusão na tecnologia de montagem em superfície (SMT - "Surface Mount Technology")
- Analise da influencia de impurezas em filmes de 'CO' na formacao do siliceto
- Interconexoes e contatos em circuitos integrados
- Presilha eletrostatica para camadas em sistemas de deposicao cvd
- Dopagem de 'SI' com boro por tratamento térmico rápido
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
