Eletronic structure of native defects in iii-v compound (1990)
- Autores:
- Autores USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; CALDAS, MARILIA JUNQUEIRA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Local: Thessaloniki
- Data de publicação: 1990
- Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors
-
ABNT
FAZZIO, A et al. Eletronic structure of native defects in iii-v compound. 1990, Anais.. Thessaloniki: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 07 maio 2024. -
APA
Fazzio, A., Caldas, M. J., Dabronski, J., & Scheffer, M. (1990). Eletronic structure of native defects in iii-v compound. In . Thessaloniki: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. -
NLM
Fazzio A, Caldas MJ, Dabronski J, Scheffer M. Eletronic structure of native defects in iii-v compound. 1990 ;[citado 2024 maio 07 ] -
Vancouver
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