Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: World Scientific
- Publisher place: Singapure
- Date published: 1990
- Conference titles: Brazilian School of Semiconductors Physics
-
ABNT
CASTINEIRA, J L P e LEITE, J. R. e GOMES, V M S. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., & Gomes, V. M. S. (1990). Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. In . Singapure: World Scientific. -
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Gomes VMS. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. 1990 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Gomes VMS. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. 1990 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon
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